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產(chǎn)品展示

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低壓MOS管SL6800C 低壓MOS管SL6800C 低壓MOS管SL6800C
低壓MOS管SL6800C

類型:N溝道

漏源電壓(Vdss):30V

連續(xù)漏極電流(Id):2A

功率(Pd):1.1W

導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):90mΩ@10V,2A

閾值電壓(Vgs(th)@Id):1.5V@250μA

產(chǎn)品詳情

產(chǎn)品名稱:低壓MOS管SL6800C


類型:N溝道


漏源電壓(Vdss):30V


連續(xù)漏極電流(Id):2A


功率(Pd):1.1W


導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):90mΩ@10V,2A


閾值電壓(Vgs(th)@Id):1.5V@250μA


封裝:SOT-23-6L


產(chǎn)品介紹:


SL6800C是一種低壓N溝道MOS管,具有漏源電壓為30V和連續(xù)漏極電流為2A的特性,可用于各種低電壓應用。


MOS管的封裝為SOT-23-6L,具有小巧輕便的特點,方便進行PCB板上的布局和組裝。


在10V和2A的條件下,該MOS管的導通電阻(RDS(on))為90mΩ,具有較低的導通電阻,從而可以減小能耗和熱損失。


此外,該MOS管的閾值電壓(Vgs(th))為1.5V@250μA,使得它可以在較低的驅(qū)動電壓下實現(xiàn)高效的開關控制。


SL6800C還具有1.1W的功率,可在熱穩(wěn)定性方面提供額外的保障。


總之,SL6800C是一種性能卓越的低壓N溝道MOS管,適用于多種低電壓應用,可提供高效的開關控制和低功耗解決方案。

SL6800C SOT-23-6L_0.jpg


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