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行業新聞
行業新聞
分享半導體功率器件行業前沿資訊,開展行業的技術交流、思想碰撞、信息互換、資料查詢等,乘“國產替代”的東風,以強芯強國為使命,薩科微立志成為“國產半導體領導者”,為中國芯的強大和中華民族的偉大復興貢獻力量!
全球半導體設備市場數據研究
  • 更新日期: 2023-03-20
  • 瀏覽次數: 1984
芯智庫年度大會暨汽車智能化發展論壇的裝備材料分論壇上發表一個題為《全球半導體設備市場數據研究》的報告。
行業數據|不敢再吹寒氣了,存儲器市場都快跌沒了...
  • 更新日期: 2023-03-20
  • 瀏覽次數: 1931
整體來看,全球半導體器件市場在飛速下跌,但跌幅完全來自存儲器。
光刻機,國產半導體繞不過的“痛”
  • 更新日期: 2023-03-16
  • 瀏覽次數: 3245
早在2019年,ASML就開始停止對中國銷售EUV光刻機。“光刻機之痛”,成了我國半導體產業難以逾越的坎兒。
美國突發!重大消息!!!
  • 更新日期: 2023-03-09
  • 瀏覽次數: 2056
小小一個芯片,難死多少英雄漢! 面對美國在芯片上,對中國高科技企業的各種制裁,很多國人覺得中國遇到滅頂之災了,但是,很多老外可不這么看! 相反,他們不少人覺得,美國的制裁,對中國中下游的手機品牌商和芯片制造廠,短期是風險,長期是機會。而對于中國上游的設備廠和材料廠,則是短期是機會,長期是更大的機會。 ……
TI和ADI誰是模擬芯片之王?
  • 更新日期: 2023-03-09
  • 瀏覽次數: 2412
德州儀器(TI)和亞德諾半導體技術有限公司(ADI)是半導體行業的兩家領先公司,以其在設計和制造模擬和混合信號集成電路方面的專業知識而聞名。兩家公司都為各種應用提供范圍廣泛的產品,從消費電子產品到工業和汽車系統。在本文中,我們將比較TI和ADI,重點關注它們的產品組合、制造和基本面,以幫助您了解這兩家公司之間的異同。 ……
重磅突發!又一家芯片公司被收購,價格57億
  • 更新日期: 2023-03-03
  • 瀏覽次數: 1940
幾小時前,也就是美國東部當地時間3月2日下午2:05,英飛凌官宣收購氮化鎵初創公司 GaN Systems,交易總值8.3億美元現金(57億人民幣)。 GaN Systems 成立于2008年,是一家位于加拿大渥太華的第三代半導體無晶圓設計公司,主營業務是開發基于 氮化鎵的功率芯片和功率轉換解決方案。公司……
產業寒冬下,電子元器件分銷商戰績如何?
  • 更新日期: 2023-03-03
  • 瀏覽次數: 2028
近日,艾睿電子、安富利、大聯大、文曄等全球排名前列的元器件分銷商和香農芯創、力源信息、雅創電子和英唐智控、好上好等多家本土元器件分銷商陸續公布了2022年業績報告/業績預告。 正值全球半導體產業的寒冬,哪些元器件分銷商繼續保持了高增長態勢?哪些元器件分銷商增……
瑞薩電子構建的汽車“芯”版圖
  • 更新日期: 2023-03-03
  • 瀏覽次數: 2248
電子發燒友網報道(文/黃晶晶)汽車產業正在機械化向新四化發展,即電動化、智能化、網聯化、共享化。傳統的汽車零部件發動機、變速箱等架構組成正在演變成新的汽車電子電氣架構,并從域控逐漸走向中央計算單元。 對于汽車電子行業趨勢的變化,瑞薩電子已經做出了前瞻判斷和廣泛部署。在2022慕尼黑華南電子展同期舉行的瑞薩……
瞻芯電子完成數億元B輪融資,為國產碳化硅(SiC)持續加碼
  • 更新日期: 2023-03-03
  • 瀏覽次數: 2107
近日,上海瞻芯電子科技有限公司(簡稱“瞻芯電子”)完成數億元B輪融資,本輪融資由國方創新領投,國中資本、臨港新片區基金、金石投資、鐘鼎資本、長石資本等眾多機構跟投,老股東臨芯投資、光速中國、廣發信德持續追加。 投資人觀點 國方創新管理合伙人孫忞先生表示:碳中和時代背景下,新能源車和光伏、儲能……
PCBA元器件間距的DFA可焊性設計
  • 更新日期: 2023-03-03
  • 瀏覽次數: 1574
“ SMT貼片加工逐步往高密度、細間距的設計發展,元器件的最小間距設計需考慮smt廠家的經驗程度和工藝是否完善。元器件最小間距的設計除了保證smt焊盤間不……
重磅!政府調研IC企業;國資委、工信部喊話中國半導體
  • 更新日期: 2023-03-03
  • 瀏覽次數: 1936
01 國家相關領導人調研集成電路企業并主持召開座談會 ……
一文讀懂氧化鎵(第四代半導體)
  • 更新日期: 2023-02-27
  • 瀏覽次數: 6162
本篇行業研究由沃衍資本投研部出品 近來,氧化鎵(Ga2O3)作為一種“超寬禁帶半導體”材料,得到了持續關注。超寬禁帶半導體也屬于“第四代半導體”,與第三代半導體碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)相比,氧化鎵的禁帶寬度達到了4.9eV,高于碳化硅的3.2eV和氮化鎵的3.39eV,更寬的禁帶寬度意味著電子需要更多的……

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