據(jù)“九峰山實(shí)驗(yàn)室”官方消息，2024年9月，該實(shí)驗(yàn)室在硅光子集成領(lǐng)域取得里程碑式突破性進(jìn)展——成功點(diǎn)亮集成到硅基芯片內(nèi)部的激光光源，這也是該項(xiàng)技術(shù)在國(guó)內(nèi)的首次成功實(shí)現(xiàn)。 顯微鏡下，片上光源芯片的光輸出視頻 隨著人工智能大模型的開(kāi)發(fā)和應(yīng)用，以及自動(dòng)駕駛等技術(shù)的發(fā)展，對(duì)于芯片算力的需求持……

據(jù)《經(jīng)理人》援引研究機(jī)構(gòu)Rho Motion的最新調(diào)查數(shù)據(jù)報(bào)道稱(chēng)，2024年9月，全球電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)總計(jì)售出170萬(wàn)輛電動(dòng)車(chē)，創(chuàng)下新的銷(xiāo)售紀(jì)錄。其中，以中國(guó)電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)表現(xiàn)最突出，單月銷(xiāo)售110萬(wàn)輛刷新紀(jì)錄，幾乎占全球市場(chǎng)66%的份額。 2024年初至9月底，全球共賣(mài)出1,150萬(wàn)輛電動(dòng)車(chē)，其中國(guó)市場(chǎng)銷(xiāo)量高達(dá)720……

10月25日消息，據(jù)Tomshardware援引@NickBrownHPC 的爆料稱(chēng)，盡管英偉達(dá)（NVIDIA）的 GPU 依賴(lài)于其專(zhuān)有的 CUDA 內(nèi)核，這些內(nèi)核具有其指令集架構(gòu)并支持各種數(shù)據(jù)格式。但是在本月的RISC-V峰會(huì)上，英偉達(dá)透露，這些內(nèi)核由依賴(lài)于行業(yè)標(biāo)準(zhǔn) RISC-V ISA 的定制內(nèi)核控制，盡管有一些擴(kuò)……

失效分析的目的是通過(guò)技術(shù)手段找出器件失效的根本原因，并推動(dòng)改進(jìn)措施的實(shí)施，從而提升生產(chǎn)工藝、改善產(chǎn)品質(zhì)量、提高良率和可靠性。EMMI是在失效分析過(guò)程中經(jīng)常使用的設(shè)備之一，它們能夠幫助分析人員檢測(cè)電氣故障，并定位失效的具體位置。 1. EMMI的基本原理 EMMI（Electro-Magnetic Induc……

在集電路的制造和測(cè)試過(guò)程中，CP測(cè)試（Chip Probing）和WAT測(cè)試（Wafer Acceptance Test）是兩個(gè)非常重要的測(cè)試環(huán)節(jié)。盡管它們都在晶圓（Wafer）階段進(jìn)行，但二者的目的、測(cè)試對(duì)象、測(cè)試內(nèi)容和作用是有顯著不同的。 一、整體概述：CP測(cè)試和WAT測(cè)試 我們可以把集成電路的制造過(guò)程……

探針卡（Probe Card）在集成電路測(cè)試中起著至關(guān)重要的作用，尤其在晶圓測(cè)試（wafer test）環(huán)節(jié)，探針卡作為連接ATE測(cè)試機(jī)臺(tái)和半導(dǎo)體晶圓之間的接口，確保了在芯片封裝前對(duì)其電學(xué)性能進(jìn)行初步測(cè)量和篩選。 1. 什么是探針卡？ 探針卡可以形象地比作“醫(yī)生的聽(tīng)診器”，幫助工程師“聽(tīng)到”芯片的“心跳”。……

雖然表面上看，光刻機(jī)是半導(dǎo)體制造的工具之一，但它的背后涉及復(fù)雜的多學(xué)科交叉與全球化合作。 1. 極端紫外光源的挑戰(zhàn)：就像尋找“完美的燈泡” EUV光刻機(jī)依賴(lài)于波長(zhǎng)僅為13.5納米的極端紫外線(xiàn)（EUV）光源，而這種光源的產(chǎn)生與控制是最大的技術(shù)挑戰(zhàn)之一。你可以把EUV光源想象成一個(gè)非常難以控制的“燈泡”，但這個(gè)……

SoC（ on Chip）作為芯片設(shè)計(jì)的主流，已經(jīng)成為現(xiàn)代集成電路技術(shù)發(fā)展的核心。 1、SoC設(shè)計(jì)的核心思想 從結(jié)構(gòu)上來(lái)看，SoC可以理解為把一個(gè)完整系統(tǒng)的所有功能電路都設(shè)計(jì)并集成在一個(gè)芯片中，形成一個(gè)高度集成的單元。傳統(tǒng)的電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)通常是將不同的功能模塊分別制作成獨(dú)立的芯片，然后通過(guò)電路板上的連接將這些芯片集成到一個(gè)系統(tǒng)中。而SoC技術(shù)則直接將這些模塊在芯片制造時(shí)集成在一起，形成一個(gè)系統(tǒng)化的單芯片解決方案。 我們可以用“多合一工具”來(lái)形象化這個(gè)過(guò)程。傳統(tǒng)的電子設(shè)計(jì)就像是你在使

SoC（系統(tǒng)級(jí)芯片）與SiP（系統(tǒng)級(jí)封裝）兩種技術(shù)都是現(xiàn)代集成電路發(fā)展的重要里程碑，它們都能實(shí)現(xiàn)電子系統(tǒng)的小型化、高效化和集成化。 一、SoC（系統(tǒng)級(jí)芯片）和SiP（系統(tǒng)級(jí)封裝）的定義及基本思路 SoC（System on Chip）——將整個(gè)系統(tǒng)“擠”進(jìn)一個(gè)芯片 SoC 就像一棟高樓，把所有的功能模塊都設(shè)計(jì)、集成到同一個(gè)物理芯片上。SoC的核心思想是將整個(gè)電子系統(tǒng)的核心部件，包括處理器（CPU）、存儲(chǔ)器、通信模塊、模擬電路、傳感器接口等多種不同功能模塊全部集成在一個(gè)芯片上。SoC的優(yōu)勢(shì)

1. Defect “Defect”指的是在晶圓生產(chǎn)過(guò)程中出現(xiàn)的缺陷，可能是由于工藝不穩(wěn)定、設(shè)備問(wèn)題或材料瑕疵導(dǎo)致的。這些缺陷可能包括顆粒污染、圖形失真、晶體結(jié)構(gòu)破損等，都會(huì)影響最終產(chǎn)品的質(zhì)量。 通俗解釋?zhuān)壕褪巧a(chǎn)過(guò)程中出現(xiàn)的“瑕疵”或“不良”，這些問(wèn)題可能影響芯片的正常功能。 2. Fail ……

RIE干法刻蝕技術(shù)憑借其優(yōu)越的各向異性刻蝕能力和良好的選擇比控制，已成為半導(dǎo)體制造中不可或缺的核心工藝。 一、RIE干法刻蝕技術(shù)的基本原理 RIE（Reactive Ion Etching，反應(yīng)離子刻蝕）作為一種主流的干法刻蝕技術(shù)，通過(guò)等離子體中的活性物質(zhì)對(duì)材料表面進(jìn)行選擇性刻蝕，以達(dá)到精確移除材料的目的。 圖：干法刻蝕概要 RIE刻蝕技術(shù)屬于一種等離子體輔助的干法刻蝕工藝。刻蝕過(guò)程中，通過(guò)在反應(yīng)腔內(nèi)引入刻蝕氣體并施加射頻電場(chǎng)，在電場(chǎng)作用下刻蝕氣體被電離和激發(fā)，形成等離子體

在半導(dǎo)體制造和晶圓工藝設(shè)備維護(hù)中，"Second Source"（二次來(lái)源）指的是使用非原廠(chǎng)供應(yīng)商生產(chǎn)的零件或耗材來(lái)替代原廠(chǎng)零件。這種策略有助于降低成本、減少對(duì)單一供應(yīng)商的依賴(lài)，同時(shí)確保制造的持續(xù)性和靈活性。 1. 什么是Second Source？ Second Source是指在生產(chǎn)制造過(guò)程中，為了降低……