老虎說芯

“老虎說芯”由北京大學微電子專業本碩，中國電源學會會員、在半導體行業有10多年經驗的胡獨巍先生撰寫，為大家提供半導體行業關于材料、工藝、應用、市場、資訊等方面的內容。在知乎有同名賬號。

更新日期： 2024-09-21
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晶面和晶向是晶體學中兩個核心的概念，它們與硅基集成電路工藝中的晶體結構有密切的關系。 1. 晶向的定義與性質晶向代表晶體中一個特定方向，通常用晶向指數來表示。晶向通過連接晶體結構中任意兩個晶格點來定義，并且有以下幾個特性：每個晶向上都包含無窮多個格點；同一個晶向可以有多個平行的晶向組成一個晶向簇；晶向簇覆……

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外延生長的基礎與應用

更新日期： 2024-09-21
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在半導體和光電子產業的發展中，材料生長技術扮演了關鍵角色。無論是用于電腦芯片的晶體管，還是高亮度發光二極管（LED），這些現代電子設備都依賴于半導體材料的制備。而外延生長技術正是其中重要的一環，它幫助我們在晶體襯底上精確地構建新的材料層，提升了器件的性能和可靠性。無論是化學氣相沉積（CVD）還是分子束外延（MB……

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電子元器件的下一站是出海？

更新日期： 2024-09-19
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謝謝9位大佬從廣州、深圳趕來東莞松山湖交流，同時也參加了阿里的電子元件出海培訓，分享一下紀要： 1、中低端電子產業向東南亞等轉移的趨勢歐美→日本、韓國和中國臺灣→中國大陸→東南亞等。最近5年，由于東南亞具備人口紅利、勞動力成本、巨大的需求等優勢，中低端的電子產業逐漸從中國大陸轉移到越南等東南亞國家。下面以……

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深圳有哪些芯片設計公司？

更新日期： 2024-09-19
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截至2022年底，深圳合計有587家IC企業，其中IC設計企業390家，晶圓制造企業7家，封測企業70家，設備企業79家，材料企業為41家，主要集中在南山和龍崗等。2022年深圳國產IC設計企業產值約724億元，僅次于上海1350億元、北京846億元。圖：IC設計行業產值城市排名，來自清華魏少軍老師 ……

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MOS管的核心參數解析（導通電阻與柵極電荷）

更新日期： 2024-09-19
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功率管的最主要的應用是控制電流的通斷，即在一定的電壓條件下對流經器件的電流進行開關控制。首先，在可以承受的擊穿電壓的前提下（即器件的工作電壓平臺），器件導通電阻越低，其導通損耗就越低。其次，器件在開關狀態間切換時，柵極電荷越小，器件的開關速度就越快，其動態損耗就越低。圖：MOS管結構對于功率MO……

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半導體設備有哪些卡脖子的核心零部件？

更新日期： 2024-09-19
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薄膜沉積是芯片制造的核心工藝環節。薄膜沉積技術是以各類適當化學反應源在外加能量（包括熱、光、等離子體等）的驅動下激活，將由此形成的原子、離子、活性反應基團等在襯底表面進行吸附，并在適當的位置發生化學反應或聚結，漸漸形成幾納米至幾微米不等厚度的金屬、介質、或半導體材料薄膜。芯片是微型結構體，其內部結構是3D立體式形態，襯……

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CMP：半導體制造工藝的平滑藝術

更新日期： 2024-09-19
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1、CMP工藝簡介 CMP（Chemical Mechanical Polishing）化學機械拋光，是一個將晶圓表面打磨得光滑平整的過程。想象您在打磨一塊寶石，除了手工的磨削，您還往上滴幾滴特制的藥劑，使其快變得光滑，這就是CMP工藝的縮影，它通過化學反應和機械力的配合，將晶圓表磨削到所需的平整度。 ……

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MOS管參數解析及國內外大廠技術對比

更新日期： 2024-09-19
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MOSFET的單位面積導通電阻和優值系數(FOM)參數代表了MOSFET的性能，是各大MOSFET廠商產品參數展示的關鍵指標，也是體現MOSFET芯片制造工藝核心技術能力的關鍵指標。通常來說，MOS管的單位面積導通電阻值和優值系數值越低表示其性能越好。而超低壓MOSFET不關注優值系數，單位面積導通電阻值和漏極擊穿電壓之間存在取舍關系，因此對于超低壓MOSFET選取單位面積導通電阻值和漏極擊穿電壓作為比較指標。單位面積導通電阻(Ronsp)，主要用于衡量功率器件導通狀態下，

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第三代半導體碳化硅襯底分類、技術指標、生長工藝、產業鏈、下游應用等解析

更新日期： 2024-09-19
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1、第三代半導體特性 (1)碳化硅根據《中國戰略性新興產業：新材料(第三代半導體材料)》，與硅相比，碳化硅擁有更為優越的電氣特性: ①耐高壓：擊穿電場強度大，是硅的10倍，用碳化硅制備器件可以極大地提高耐壓容量、工作頻率和電流密度，并大大降低器件的導通損耗。 ②耐高溫：半導體器件在較高的溫度下……

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瀾起科技：存儲接口芯片、發展歷程

更新日期： 2024-09-19
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瀾起科技：成立于2004年，2019年上市，擁有互連類芯片和津逮?服務器平臺兩大產品線。瀾起科技是國際領先的數據處理及互連芯片設計公司。行業地位：瀾起科技的內存接口芯片作為連接CPU和內存的“高速公路”,是服務器內存模組的必配芯片，已成功進入國際主流內存、服務器和云計算領域,產品性能和質量受到市場及行業……

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CMOS圖像傳感器（CIS）分類及特點

更新日期： 2024-09-19
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CMOS圖像傳感器根據感光元件安裝位置，主要可分為前照式結構(FSI)背照式結構(BSI)。在背照式結構的基礎上，還可以進一步改良成堆棧式結構(Stacked)。堆棧式結構系在背照式結構將感光層僅保留感光元件的部分邏輯電路的基礎上進行進一步改良，在上層僅保留感光元件而將所有線路層移至感光元件的下層，再將兩層芯片疊在一起，芯片的整體面積被極大地縮減。此外，感光元件周圍的邏輯電路也相應移至底層，可有效抑制電路噪聲從而獲取更優質的感光效果。采用堆棧式結構的CMOS圖像傳感器可在同

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功率半導體中超結MOS管基礎知識

更新日期： 2024-09-19
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1. 背景知識在我們進入超結MOSFET的細節之前，我們先了解一些背景知識。 MOSFET，全稱金屬氧化物半導體場效應晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor），是一種非常重要的電子元件，廣泛應用于各種電子電路中。它的基本作用是作為一個開關，……

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