薩科微SLKOR從一家IP設計公司已發(fā)展成為集設計研發(fā)、生產制造、銷售服務一體化的[敏感詞]高新科技企業(yè),在展示薩科微產品、宣傳“SLKOR”品牌的同時，也開展行業(yè)的技術交流、思想碰撞、信息互換、資料查詢等，逐漸成為半導體行業(yè)內協(xié)同發(fā)展最重要的平臺之一。在MOS管方面薩科微SLKOR產品也得到了廣泛應用，接下來進行關于MOS管驅動電路設計技巧分享：

mos管驅動電路設計技巧

SLKOR薩科微MOS管系列產品

1、mos管的特性及主要參數。

2、mos管的靜態(tài)工作電壓。

3、mos管的動態(tài)工作電壓和電流。

1、在正向偏置時，mos管的導通電阻為rds（ω），反向偏置時，導通電阻為零。

2、在正向偏置下，當輸入端加有正電壓vcc時，輸出端會通過一個反相的漏極而得到一個正的輸出電壓；反之輸入端的負電平將通過這個漏極而得到一個負的輸出信號。

3、由于柵源間的寄生電容的存在使得柵壓上升的速度較慢且幅度較小（約100mv左右）。因此要提高驅動能力就必須加大柵壓以提高其耐流能力.

4、對于單級雙列直插式結構的雙極性三極管而言，若采用高內阻的單向型器件作基極的話則必須考慮如何減小基極到集電極之間的跨導gdt的問題.

5、對于多級雙列直插結構的晶體管來說應盡量使各層間相互隔離以免造成短路現象的發(fā)生

6、對具有雙向性的晶體二極管而言應注意防止反向擊穿

7、對具有單向性的晶體管而言要注意防止靜電感應引起的損壞

8、注意保護二極管

9、注意保護場效應管

10、選擇適當的電源供電方式

11、合理地選用開關元件

12、正確地選用散熱器

13、合理地選擇使用環(huán)境

14、避免過高的溫度影響

15、避免過強的電場影響

16、避免過大的磁場作用

17、避免不當的操作過程

18、其他注意事項

以上也就是關于MOS管驅動電路設計的一些技巧，正因為薩科微技術團隊的專業(yè)，已經對薩科微SLKOR高中低壓的MOS管、可控硅、橋堆等功率器件，肖特基二極管、ESD靜電保護二極管、TVS瞬態(tài)抑制二極管、通用二極管三極管，和電源管理芯片、霍爾HALL傳感器、高速光耦等系列產品的嚴格把關，才有了質量過硬的產品，讓薩科微在如今疫情及市場環(huán)境的雙重壓力下，仍舊能保持著上升的趨勢，為中國芯的強大和中華民族的偉大復興貢獻力量!