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提高芯片性能的三個途徑,工程師關(guān)注后摩爾時代

發(fā)布時間:2022-11-10作者來源:薩科微瀏覽:2937


隨著摩爾定律推進并達到物理極限,基于新原理、新材料和新結(jié)構(gòu)的半導體器件引發(fā)集成電路工藝變革,后摩爾時代已然到來。后摩爾時代,芯片技術(shù)發(fā)展的基本點:一是發(fā)展不依賴于特征尺寸不斷微縮的特色工藝,以此擴展集成電路芯片功能。二是將不同功能的芯片和元器件組裝在一起封裝,實現(xiàn)異構(gòu)集成。三是通過新途徑來滿足人工智能算法和算力提升。我們歸納出三個提升芯片性能的途徑,給工程師選型參考:存算一體,減少處理器外部數(shù)據(jù)交換;Chiplet,多晶圓集成,減少對高制程的要求,提高成品率;封裝技術(shù),通過把多個不同功能的wafer封裝在一起,實現(xiàn)一個大的芯片功能,成本低。新途徑、新技術(shù)的開辟,這對于我國半導體行業(yè)的發(fā)展也是新的機遇和挑戰(zhàn)。


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三個提升芯片性能的途徑


01
存算一體


進入人工智能時代,算力和運算數(shù)據(jù)量每年都在指數(shù)級增加,然而摩爾定律已經(jīng)接近于到極限,每代芯片只有10-20%的性能提升。再加上馮諾依曼架構(gòu)的算力已經(jīng)被內(nèi)存墻所限制,只有解決內(nèi)存墻問題才能進一步提高算力。在各種解決方案中,存內(nèi)計算是最直接也是[敏感詞]效的。


存算一體,或存內(nèi)計算,是指將傳統(tǒng)馮諾依曼架構(gòu)中以計算為中心的設(shè)計,轉(zhuǎn)變?yōu)橐詳?shù)據(jù)存儲為中心的設(shè)計,也就是利用存儲器對數(shù)據(jù)進行運算,從而避免數(shù)據(jù)搬運產(chǎn)生的“存儲墻”和“功耗墻”,極大提高數(shù)據(jù)的并行度和能量效率,降低了成本。


存算一體的計算方式分為數(shù)字計算和多比特模擬計算。數(shù)字存算一體主要以SRAM和RRAM作為存儲器件,采用先進邏輯工藝,具有高性能高精度的優(yōu)勢,且具備很好的抗噪聲能力和可靠性。而模擬存算一體通常使用FLASH、RRAM、PRAM等非易失性介質(zhì)作為存儲器件,存儲密度大,并行度高,但是對環(huán)境噪聲和溫度非常敏感。數(shù)字存算一體適合大算力高能效的商用場景,而模擬存算一體適合小算力、不需要可靠性的民用場景。


在智能時代里,從可穿戴到自動駕駛,功耗約束下場景里的計算效率都是永恒的主題,存內(nèi)計算是解放算力、提升能效比最強有力的[敏感詞]之一。


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02
Chiplet技術(shù)


所謂Chiplet,就是小芯片/芯粒,它是一種把不同制程Wafer組合到一個底板wafer的工藝,從而在不改變制程的前提下提升算力,并保證芯片制造良品率的一種手段。Chiplet被行業(yè)普遍認為是未來5年算力的主要提升技術(shù)。


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Chiplet技術(shù)的優(yōu)勢:

  降低成本

其一,chiplet通常使用先進的封裝工藝將多個chiplet集成到一個大的單芯片中。由于chiplet占據(jù)的面積相對較小,其成本和成品率也會相應(yīng)提高,因此這種方式可以有效降低總體成本;其二,Chiplet允許使用不同的制造節(jié)點創(chuàng)建異構(gòu)的芯片,SoC中不同功能的模塊可使用不同的wafer技術(shù),高性能的可能需要5nm,其他性能可能只需要40或者28nm就可以做到性能[敏感詞]化。


  突破了SoC設(shè)計極限

Chiplet突破了光罩面積的規(guī)模極限,通過異質(zhì)集成的方式突破了功能極限,使其不再受多工藝的約束,通過算力可擴展的方式提升了芯片的性能,并通過敏捷開發(fā)的方式大大縮短了工期極限。


Chiplet技術(shù)由于可以在芯片涉及的良率、成本等多個維度提供可定制性和可優(yōu)化性,其延伸的領(lǐng)域?qū)⒃絹碓綇V泛。



03
先進封裝技術(shù)


封裝是半導體供應(yīng)鏈中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。SiP是多Wafer疊層封裝,這樣的先進封裝已經(jīng)成為中國半導體行業(yè)的技術(shù)重點。SiP被業(yè)界認為是延續(xù)摩爾定律的必然選擇路徑。Chiplet也依賴于SiP和2.5D/3D這樣的先進封裝技術(shù)。SiP被業(yè)界認為是延續(xù)摩爾定律的必然選擇路徑。


SiP可以利用異質(zhì)集成解決不同芯片工藝的兼容問題。此外,SiP還在專利壁壘,開發(fā)成本、研發(fā)周期方面具有優(yōu)勢。在后端環(huán)節(jié),SiP相對于傳統(tǒng)的PCBA也具有很多優(yōu)點,如減小尺寸、增強性能、延長產(chǎn)品生命周期,降低后端應(yīng)用企業(yè)的設(shè)計難度以及供應(yīng)鏈管理成本,提高產(chǎn)品可靠性等。SiP從終端電子產(chǎn)品角度出發(fā),不再一味關(guān)注芯片本身的性能和功耗,而是轉(zhuǎn)向更加務(wù)實的滿足市場需求。


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總結(jié):

后摩爾時代到來,技術(shù)迭代的困難和挑戰(zhàn)也隨之而來,通過算力,wafer組合和多層芯片疊層封裝,是中國半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展帶來了新的發(fā)展機會。






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