一個(gè)碳化硅芯片業(yè)余愛(ài)好者的學(xué)習(xí)筆記。文獻(xiàn)整理，業(yè)界新聞，偶有所得，天馬行空。本公眾號(hào)屬于個(gè)人學(xué)習(xí)筆記，僅為個(gè)人業(yè)余興趣愛(ài)好，不涉及任何商業(yè)目的。文中如果有引用不規(guī)范的地方敬請(qǐng)見(jiàn)諒。有人的愛(ài)好是養(yǎng)花養(yǎng)草唱歌釣魚，也有人喜歡寫Twiter博客抖音，我最近幾年，喜歡周末偶爾讀點(diǎn)書刷刷paper，看看前沿方向材料和器件技術(shù)發(fā)展。
題記：做點(diǎn)有趣的事，做個(gè)有趣的靈魂。
瞎聊了幾句羅姆雙溝槽IP的訴訟案花邊新聞??，發(fā)現(xiàn)感興趣的朋友還真不少。很多交流和問(wèn)題沒(méi)法一一回復(fù)了。那就繼續(xù)瞎聊聊
關(guān)于這幾個(gè)溝槽結(jié)構(gòu)專利，其實(shí)也沒(méi)啥好多聊的，大家都知道，沒(méi)辦法，這就是起的早的??有蟲(chóng)吃，和早些年搶占域名注冊(cè)類似，
咱們都來(lái)晚了幾年…
這幾個(gè)溝槽結(jié)構(gòu)，都是基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)。有時(shí)候看起來(lái)有種特別的美，仔細(xì)一看，特別對(duì)稱。
想象一下把這些結(jié)構(gòu)做個(gè)排列組合，在三維立體空間重新組合下…是不是很有趣！
這就是為啥總說(shuō)那三個(gè)結(jié)構(gòu)，“英飛凌半包，羅姆雙溝槽，住友接地雙掩埋” 是基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)。
很有趣吧！…
可惜的是，按國(guó)際專利法，排列組合不管用??！
否則Rohm可以輕松在雙溝槽旁邊集成個(gè)
肖特基二極管進(jìn)去，是不是就不用這么辛苦打官司了！
這個(gè)官司打起來(lái)，看起來(lái)是沒(méi)個(gè)完了。這也從側(cè)面充分證明了，真正有用的碳化硅溝槽結(jié)構(gòu)專利IP是多么稀有！
特別是，現(xiàn)在搞碳化硅器件的越來(lái)越多，很多原來(lái)做硅
IGBT和CoolMOS的，轉(zhuǎn)過(guò)來(lái)做個(gè)碳化硅二極管和平面MOSFET，基本是分分鐘就出產(chǎn)品。
這種情況下，碳化硅溝槽結(jié)構(gòu)的IP，彌足珍貴！
我曾經(jīng)一度很想去創(chuàng)業(yè)。特別是在肖特基街道辦學(xué)了幾手之后，認(rèn)為既然自己差不多能一個(gè)人從設(shè)計(jì)版圖到工藝集成開(kāi)發(fā)流片全搞完，是不是可以找點(diǎn)錢??試試了！
等一點(diǎn)點(diǎn)看完各個(gè)結(jié)構(gòu)的發(fā)展歷史和專利權(quán)人，發(fā)現(xiàn)特么SiC的結(jié)構(gòu)發(fā)展，和當(dāng)年硅
IGBT七代結(jié)構(gòu)和工藝的發(fā)展，還真有不少類似點(diǎn)！
驚訝的是，居然很多結(jié)構(gòu)和工藝IP的源頭，居然在GE那兒！
曾經(jīng)一度以為平面MOS里沒(méi)有專利問(wèn)題，現(xiàn)在卻不太確定了。等把GE和日本團(tuán)體那些專利都一點(diǎn)點(diǎn)讀完，不知道是啥時(shí)候了！
而且，日本是團(tuán)體作戰(zhàn)，這個(gè)對(duì)于專利布局來(lái)說(shuō)優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)。很管用！
例如，我曾經(jīng)覺(jué)得相對(duì)于英飛凌半包和Rohm雙溝槽，其實(shí)在住友的接地雙掩埋IP里添點(diǎn)料加點(diǎn)粉，會(huì)是個(gè)很好的溝槽結(jié)構(gòu)IP的突破口。還有很多東西可以做做。而且將來(lái)不會(huì)像Infenion半包和雙溝槽那么顯眼容易被訴訟。
但最近兩年，在Rohm打官司的同時(shí)，發(fā)現(xiàn)日本電裝富士羅姆豐田這幾家在怒吼式的申請(qǐng)專利，在原來(lái)的幾種結(jié)構(gòu)上瘋狂繡花??，查缺補(bǔ)漏。簡(jiǎn)直是想要在溝里再修幾套高樓的樣子。例如接地雙掩埋那個(gè)結(jié)構(gòu)，足足就搞了十七八種變體和組合…
今年九月份的時(shí)候，聽(tīng)說(shuō)三安也想開(kāi)始開(kāi)發(fā)碳化硅溝槽MOSFET，苦于溝槽結(jié)構(gòu)專利避不開(kāi)，最后干脆選擇先照著做一個(gè)出來(lái)再說(shuō)。于是直接從北京微電子所招了個(gè)博士，開(kāi)始仿照著做個(gè)溝槽結(jié)構(gòu)。
不扯遠(yuǎn)了，剛本來(lái)想聊GE的。這才是真正的碳化硅IP大佬。只不過(guò)碳化硅器件對(duì)于GE來(lái)說(shuō)是個(gè)小生意，GE興趣不大。連暴利的醫(yī)療裝備GE都懶得搭理了，說(shuō)不清GE現(xiàn)在究竟啥情況
這兩周GE正在鬧分家。也許分完了以后，GE POWER能慢慢搞點(diǎn)小生意碳化硅器件也說(shuō)不定。
畢竟，現(xiàn)在要各付各的晚餐費(fèi)了。
GE應(yīng)該對(duì)大功率器件還是挺有興趣的。分家之后，沒(méi)準(zhǔn)需要?jiǎng)冸x重新上市。SiC可是個(gè)估值利器！看看最近GE POWER熱情高漲的跑中國(guó)發(fā)展宣傳就可見(jiàn)一斑。
如果說(shuō)GE POWER真的開(kāi)始獨(dú)立出來(lái)，謀求單獨(dú)上市，那么功率芯片和SiC Power器件應(yīng)該是個(gè)重新出發(fā)的好港口。
這個(gè)時(shí)機(jī)對(duì)GE POWER來(lái)說(shuō)剛好。
正好碳化硅無(wú)比火熱，正好各玩家都特別有錢。
也許，GE POWER 就可以像高通那樣，開(kāi)始收割點(diǎn)韭菜，變成個(gè)POWER的IP提供商。
對(duì)于一個(gè)上百年的企業(yè)來(lái)說(shuō)，
分家的故事才剛剛開(kāi)始，以后的精彩紛呈，誰(shuí)知道呢！
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