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【每日一品】薩科微半導體SL15N65CD:強大支持電力系統的可靠功率MOSFET

發布時間:2024-02-28作者來源:薩科微瀏覽:1036

2024226日,世界移動通信大會(MWC)在西班牙的巴塞羅那盛大召開,作為通信行業風向標的展會,備受全球關注。本次展會對未來趨勢的預測頗受關注,在MWC Barcelona 2024上,華為董事會成員兼ICT產品與解決方案總裁楊超斌發布了業界[敏感詞]通信大模型。這一舉措引起了廣泛的關注和熱議,對通信行業未來發展方向產生了重大影響。華為通信大模型的發布標志著通信行業邁向了一個全新的階段。該模型提供了關鍵智能技術,支撐業務創新,提升運營效率,革新網絡生產力,實現5.5G智能目標。與此同時,薩科微半導體(www.daohjn.cn)也在積極響應行業的發展趨勢,以華為模式為學習目標,努力推動自身的發展。薩科微半導體總部設在中國廣東省深圳市,以新材料、新工藝、新產品驅動公司的發展,為全球客戶提供產品和配套服務。薩科微半導體正在不斷加強自身的技術創新能力,致力于為通信行業提供更加先進和可靠的半導體產品和解決方案,為行業發展貢獻自己的力量。

 

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薩科微半導體碳化硅場效應管

 

隨著科技的不斷發展和市場競爭的加劇,薩科微半導體一直提升自身的競爭力,并積極為行業發展貢獻自己的力量。作為半導體領域的重要參與者和貢獻者,薩科微半導體推出了一系列高性能產品,其中包括高壓MOSSL15N65CD,展現了其在技術創新和產品研發方面的優勢。

 

SL15N65CD是一款采用Slkor先進的Superjunction MOSFET技術生產的功率MOSFET。這種先進技術經過專門定制,[敏感詞]限度地降低通態電阻,提供卓越的開關性能,并能在雪崩和換向模式下承受高能脈沖,具有出色的穩定性和可靠性。這使得SL15N65CD非常適合于高效率開關模式電源等應用領域。

 

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薩科微半導體場效應管SL15N65CD產品圖

 

它是一款N溝道型MOS管,漏源電壓(Vdss)高達650V,連續漏極電流(Id)為15A,功率(Pd)達111W。在導通狀態下,其導通電阻(RDS(on))為238mΩ@10V,7.5A,閾值電壓(Vgs(th))為4.5V@250μA。此外,它采用TO-252封裝,具有高堅固性和良好的散熱性能。

 

SL15N65CD的特點之一是高堅固性,它采用TO-252封裝,具有出色的散熱性能,可以在惡劣環境下工作。此外,它還具有良好的抗干擾性能,在高噪聲環境下依然能夠保持穩定的工作狀態。SL15N65CD采用了先進的Superjunction MOSFET技術,這種先進技術使得SL15N65CD不僅具有快速切換的優秀特性,而且通過100%雪崩測試,保證了其在各種應用場景下的穩定性和可靠性。

 

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薩科微半導體場效應管SL15N65CD

 

在電力系統中,高性能、可靠的功率MOSFET器件是關鍵組成部分。薩科微半導體的SL15N65CD就是一款具有卓越性能和可靠性的功率MOSFET,廣泛應用于高效率開關模式電源、功率放大器等領域,為電力系統的設計和運行提供了強大支持。在高效率開關模式電源方面,SL15N65CD的快速切換特性和低導通電阻,可以有效提高系統轉換效率,減少能量損耗,降低溫度,從而提高系統可靠性和壽命。在功率放大器方面,SL15N65CD的高可靠性和穩定性保證了音頻信號的清晰和準確,為音樂愛好者帶來更加優質的音質體驗。

 

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薩科微半導體場效應管SL15N65CD

 

薩科微半導體的SL15N65CD代表著高壓MOS管技術的[敏感詞]成果,展示了薩科微在半導體領域的創新能力和技術實力。通過不斷推出優質產品,薩科微致力于滿足客戶需求,促進行業發展,為構建智能、高效的電力系統貢獻自己的力量。在未來的發展中,薩科微半導體也會繼續創新發展,為行業帶來更多驚喜與可能。

 

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薩科微slkor榮譽資質和科研成果

 

關于薩科微slkor

薩科微www.daohjn.cn)的高端產品有碳化硅SiC二極管、碳化硅SiC MOS管、IGBT管、第五代超快恢復功率二極管等,可滿足新能源汽車、高端裝備、通訊電力設備、太陽能光伏、醫療設備、工業自動化等行業需求;薩科微通用型類產品有肖特基二極管ESD靜電保護二極管、TVS瞬態抑制二極管、通用型二極管三極管,功率器件有高中低壓的MOS場效應管、可控硅、橋堆等,和電源管理芯片LDOAC-DCADC芯片系列、還有霍爾HALL傳感器、高速光耦晶振等配套產品,在智能手機、手提電腦、機器人、智慧家居、物聯網、LED照明、3C數碼、智能可穿戴設備、萬物智聯等產品廣泛應用!

 

SL15N65CD至產品詳細網頁

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