土豪登場(chǎng)-IGBT5

“土豪金” 芯片

特征：

溝槽柵+場(chǎng)截止+表面覆蓋銅

IGBT5是所有IGBT系列里最土豪的產(chǎn)品，別的芯片表面金屬化都用的鋁，而IGBT使用厚銅代替了鋁，銅的通流能力及熱容都遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于鋁，因此IGBT5允許更高的工作結(jié)溫及輸出電流。同時(shí)芯片結(jié)構(gòu)經(jīng)過(guò)優(yōu)化，芯片厚度進(jìn)一步減小。

技能：

175℃工作結(jié)溫，1.5V飽和電壓，

輸出電流能力提升30%

因?yàn)?a target="_blank" title="IGBT" href="/products/igbt-single-tube.html">IGBT5表面覆銅，并且在模塊封裝中采用了先進(jìn)的.XT封裝工藝，因此工作結(jié)溫可以達(dá)到175℃。芯片厚度相對(duì)于IGBT4進(jìn)一步減薄，使得飽和壓降更低，輸出電流能力提升30%。

名號(hào)：

E5，P5

目前IGBT5的芯片只封裝在PrimePACK?里，電壓也只有1200V，1700V，代表產(chǎn)品FF1200R12IE5，F(xiàn)F1800R12IP5。

真假李逵-TRENCHSTOP?5

在單管界，有一類(lèi)產(chǎn)品叫TRENCHSTOP?5。經(jīng)常聽(tīng)到有人問(wèn)H5、F5、S5、L5是不是IGBT5？嚴(yán)格意義來(lái)講并不是，雖然名字里都帶5，但是H5、F5、S5這些單管的5系列，屬于另外一個(gè)家族叫TRENCHSTOP?5。這個(gè)家族沒(méi)有“黃金甲”加持，基因也和IGBT5不一樣。

特征：

精細(xì)化溝槽柵+場(chǎng)截止

雖然都叫溝槽柵，但TRENCHSTOP?5長(zhǎng)得還是和前輩們大相徑庭。它的溝道更密，電流密度更高。在達(dá)到[敏感詞]操作性能同時(shí)，并不具備短路能力。

技能：

175℃[敏感詞]工作結(jié)溫，高開(kāi)關(guān)頻率，

無(wú)短路能力

性能和短路，永遠(yuǎn)是一對(duì)矛盾體。為了追求卓越的性能，TRENCHSTOP?5犧牲掉了短路時(shí)間。TRENCHSTOP?5可以根據(jù)應(yīng)用目的不同，取得極低的導(dǎo)通損耗，或者極高的開(kāi)關(guān)頻率，開(kāi)關(guān)頻率[敏感詞]可達(dá)70~100kHz，而導(dǎo)通壓降[敏感詞]可低至1.05V。

名號(hào)：

H5，F(xiàn)5，S5，L5

TRENCHSTOP?5目前只有650V的器件，并且都是分立器件。這一系列產(chǎn)品針對(duì)不同的應(yīng)用進(jìn)行了通態(tài)損耗和開(kāi)關(guān)損耗的優(yōu)化。其中H5/F5適合高頻應(yīng)用，L5導(dǎo)通損耗[敏感詞]。TRENCHSTOP?5各個(gè)產(chǎn)品在折衷曲線(xiàn)上的位置如下圖所示。

后起之秀-IGBT6

6掌門(mén)雖然和4掌門(mén)之間隔了個(gè)5，但6其實(shí)是4的優(yōu)化版本，依然是溝槽柵+場(chǎng)截止。IGBT6目前只在單管中有應(yīng)用。

特征：

溝槽柵+場(chǎng)截止

器件結(jié)構(gòu)和IGBT4類(lèi)似，但是優(yōu)化了背面P+注入，從而得到了新的折衷曲線(xiàn)。

技能：

175℃[敏感詞]工作結(jié)溫，Rg可控，3us短路

IGBT6目前發(fā)布的有2個(gè)系列的產(chǎn)品，S6導(dǎo)通損耗低，Vce(sat) 1.85V; H6開(kāi)關(guān)損耗低，相比于H3，開(kāi)關(guān)損耗降低15%。

名號(hào)：

S6, H6

IGBT6只有單管封裝的產(chǎn)品，例如：IKW15N12BH6，IKW40N120CS6，封裝有TO-247 3pin，TO-247 plus 3pin，TO-247 plus 4pin。

萬(wàn)眾矚目-IGBT7

IGBT經(jīng)數(shù)代，厚積薄發(fā)，2018年終于迎來(lái)了萬(wàn)眾矚目的IGBT7。

特征：

微溝槽柵+場(chǎng)截止

雖然都是溝槽柵，但多了一個(gè)微字，整個(gè)結(jié)構(gòu)就大不一樣了。IGBT7溝道密度更高，元胞間距也經(jīng)過(guò)精心設(shè)計(jì)，并且優(yōu)化了寄生電容參數(shù)，從而實(shí)現(xiàn)5kv/us下的[敏感詞]開(kāi)關(guān)性能。

更多IGBT7信息，請(qǐng)參考：1200V IGBT7和Emcon7可控性更佳，助力提升變頻器系統(tǒng)性能。

技能：

175℃過(guò)載結(jié)溫，dv/dt可控

IGBT7 Vce(sat)相比IGBT4降低20%，可實(shí)現(xiàn)[敏感詞]175℃的暫態(tài)工作結(jié)溫。

名號(hào)：

T7，E7

代表產(chǎn)品有：FP25R12W1T7。T7專(zhuān)為電機(jī)驅(qū)動(dòng)器優(yōu)化，可以實(shí)現(xiàn)5kv/us下[敏感詞]性能。E7應(yīng)用更廣泛，電動(dòng)商用車(chē)主驅(qū)，光伏逆變器等。

一張表看懂

IGBT的前世今生

”

有道是，

江山代有才人出，各領(lǐng)風(fēng)騷沒(méi)兩年。

7已經(jīng)羽翼漸豐，獨(dú)擋一面，

8還會(huì)遠(yuǎn)嗎？

讓我們拭目以待吧！

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