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發布時間:2024-01-31作者來源:薩科微瀏覽:974
工信部發布《2023年通信業統計公報》揭示了中國通信業在過去一年取得的顯著成就。根據工信部發布的數據,2023年電信業務收入累計完成1.68萬億元,同比增長6.2%,而按照上年價格計算的電信業務總量更是同比增長了16.8%。這些數字清晰地表明了中國通信行業的蓬勃發展和巨大潛力。報告特別指出,截至2023年底,行業共發展5G虛擬專網數量3.16萬個,達上年末數量的2.2倍。隨著5G技術的不斷成熟和應用范圍的擴大,5G行業應用從點狀示范向部分領域規模化復制演進,5G應用案例數超過9.4萬個,這一趨勢將進一步促進中國工業的數字化轉型。在這一進程中,薩科微(www.daohjn.cn)作為半導體行業的重要參與者,通過技術和產品推動著世界的發展,其碳化硅SiC二極管、碳化硅SiC MOS管、IGBT管、第五代超快恢復功率二極管等高端產品在5G應用中得到了廣泛應用。薩科微的不斷創新和產品優勢也會為中國通信業的進步和5G技術的發展做出積極貢獻。
薩科微半導體獲得高新技術企業資格證書
SL120N03R是一款由薩科微半導體公司生產的低壓MOS管,采用先進的Trench技術制造,為用戶提供了卓越的柵極電荷和導通電阻(RDSon),從而降低了通信和傳導損耗。因此,該器件非常適合于AC/DC電源轉換、負載開關和工業電源應用。
薩科微半導體低壓MOS管SL120N03R產品圖
SL120N03R的參數包括類型為N溝道,漏源電壓(Vdss)為30V,連續漏極電流(Id)為120A,導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)為1.15mΩ@10V,20A,閾值電壓(Vgs(th)@Id)為1.5V@250uA,封裝為PDFN5x6-8L。這些參數使得SL120N03R具有出色的性能表現。
薩科微半導體低壓MOS管SL120N03R
此外,SL120N03R還有許多特點。SL120N03R經過了100%的雪崩測試。同時,它具有低FOM RDS(on)xQgd特點。FOM(Figure of Merit)是衡量功耗和性能之間權衡的指標,而RDS(on)xQgd則代表了導通電阻和柵極電荷的乘積。SL120N03R在這方面做到了極低水平,使得其在高效能源轉換和負載開關應用中具有出色的性能表現。這種低FOM特性使得該MOS管能夠實現更高的效率和更低的能量損耗,為用戶提供更可靠的電力輸出。此外,其采用了先進的Trench技術制造,使得器件結構更加緊湊,尺寸更小,便于安裝和布線。并且SL120N03R符合RoHS標準,這意味著其在環保方面也做出了積極的貢獻。RoHS標準限制了危險物質的使用,保護了環境和人類健康。它作為一款符合RoHS標準的產品,不僅能夠滿足用戶的需求,還可為可持續發展做出貢獻。
薩科微半導體低壓MOS管SL120N03R
最后,SL120N03R的應用范圍也非常廣泛。它可以用于能源管理,脈寬調制應用,負載開關等領域。無論是工業生產還是個人使用,SL120N03R都可以為用戶提供穩定、高效的電力輸出,為各種電器設備的運行提供保障。
總之,SL120N03R是一款性能卓越、適用范圍廣泛的低壓MOS管產品,具有出色的功能和特點,深受用戶喜愛,在未來的市場競爭中將有著廣闊的發展前景。
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