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技術交流

Technology Exchange
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國產(chǎn)電源廠家及具體型號pin-to-pin最新替代手冊發(fā)布!
  • 更新日期： 2022-08-16
  • 瀏覽次數(shù)： 1850
在生活中幾乎所有的電子產(chǎn)品和設備中都有電源管理芯片，根據(jù)前瞻研究院整理的數(shù)據(jù)來看，電源管理在消費電子、通信設備、汽車等領域占比較高，目前的占比總份額已超過50%。
采用宏模型進行仿真電路和系統(tǒng)
  • 更新日期： 2022-08-12
  • 瀏覽次數(shù)： 2083
IC 在進入市場之前可以經(jīng)歷數(shù)年的設計和驗證周期。 系統(tǒng)設計工程團隊在將 IC 開發(fā)成系統(tǒng)之前對其進行評估。 IC 宏模型可幫助系統(tǒng)設計人員在創(chuàng)建物理 PCB 之前了解、模擬并將這些設備實施到他們的系統(tǒng)中。
10問新能源汽車800V絕緣設計
  • 更新日期： 2022-07-27
  • 瀏覽次數(shù)： 5033
從全球的技術動向來看，800V高壓是電動汽車未來要走的必經(jīng)之路。但要知道，800V帶來的不只是更快的充電效率和更長的續(xù)航里程，還有和400V系統(tǒng)相比，更嚴峻的絕緣和安全挑戰(zhàn)。今天我們就通過10個問答Q&A的形式，來探討800V平臺下新能源汽車的絕緣設計問題。 01 問 800V平臺下，……
淺析光刻技術演變
  • 更新日期： 2022-07-27
  • 瀏覽次數(shù)： 9161
以ASML的光刻機為例，其主要由光源模組(Source)、光罩模組（Reticle）、聚光鏡(Optics)和晶圓模組（Wafer）四大模組組成。 圖1：ASML High NA光刻機 紫外光從光源模組(Source)生成之后，被導入到照明模組(illumination module……
PCB芯片散熱焊盤如何設計？
  • 更新日期： 2022-07-25
  • 瀏覽次數(shù)： 3069
01前言 工作中的電路板有許多發(fā)熱比較大的元器件，比如MOS管、LED、三極管，尤其在滿載的情況下更為嚴重，散熱通孔是眾所周知的一種通過電路板表面貼裝元件的散熱方法。 在結構上，板上開有一個通孔，如果該板是單層雙面板，則使銅箔連……
如何輕松區(qū)別隔離電源和非隔離電源的區(qū)別
  • 更新日期： 2022-07-22
  • 瀏覽次數(shù)： 4129
在產(chǎn)品設計時，倘若沒有考慮應用環(huán)境對電源隔離的要求，產(chǎn)品到了應用時就會出現(xiàn)因設計方案的不當導致的系統(tǒng)不穩(wěn)定，甚至出現(xiàn)高壓損壞后級負載的情況，以及出現(xiàn)危害人身財產(chǎn)安全的情況。因此產(chǎn)品設計是否需要隔離至關重要。 ……
充電樁CP通信工程完整性模塊
  • 更新日期： 2022-07-20
  • 瀏覽次數(shù)： 3783
2022-06-21 深圳 南山 , 業(yè)內(nèi)領先的工程類工業(yè)總線及電源完整性解決方案供應商大印藍海發(fā)布新能源汽車充電樁CP通信濾波降噪模塊 伴隨我國新能源汽車利好政策陸續(xù)出臺，城市交通系統(tǒng)紛紛推出新能源公交車，加上工廠、倉庫也逐步應用新能源 AGV，充電樁的需求量日增月益。預計 2022年，我國將擁有分布式……
首款國產(chǎn)LSM電磁彈射-游樂過山車
  • 更新日期： 2022-07-20
  • 瀏覽次數(shù)： 3916
廣州鈞明歡樂世界對外營業(yè)，由位于中山市的廣東金馬游樂股份有限公司(下稱“金馬游樂”)自主研發(fā)的、國產(chǎn)首臺運用LSM電磁彈射技術的彈射式過山車“炫酷飛馳”在此正式亮相。這是國產(chǎn)第一臺運用LSM電磁彈射技術的彈射式過山車。這也意味著金馬游樂成為全球第三家擁有相關核心技術的游樂企業(yè)，此舉打破了游樂行業(yè)運用LSM電磁彈射技術的……
新型寬禁帶半導體-氧化鎵
  • 更新日期： 2022-07-05
  • 瀏覽次數(shù)： 4202
技術日新月異, 第三代寬禁帶半導體技術及制造工藝發(fā)展還沒有多少年,源起于日本的氧化鎵被譽為第四代半導體技術已開始國內(nèi)市場發(fā)育. 與SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導體元件，因而引起了極大關注。契機源于日本信息通信研究機構等的研究小組開發(fā)出的β-Ga……
關于技術研究進展之GaN功率器件芯片級熱管理
  • 更新日期： 2022-07-05
  • 瀏覽次數(shù)： 5118
GaN 半導體具有高二維電子氣濃度、高擊穿場強、高的電子飽和速度等特點，在微波大功率器件應用領域有較第一、二代半導體材料顯著的性能優(yōu)勢，其輸出功率密度可以幾倍甚至十幾倍于 GaAs 微波功率 FET，滿足新一代電子產(chǎn)品對更大功率、更高頻率、更小體積微波功率器件的要求，被廣泛應用于雷達系統(tǒng)、通信系統(tǒng)等軍民領域。
非常詳細的阻抗測試基礎知識
  • 更新日期： 2022-06-29
  • 瀏覽次數(shù)： 20172
一、阻抗測試基本概念 阻抗定義： 阻抗是元器件或電路對周期的交流信號的總的反作用。 AC 交流測試信號 (幅度和頻率)。 ……
柵級驅(qū)動及工業(yè)汽車MCU
  • 更新日期： 2022-06-28
  • 瀏覽次數(shù)： 4235
概述閘級功率放大器（Gate Driver），也稱柵（閘）級驅(qū)動器，可以讓控制集成電路產(chǎn)生的小功率訊號來驅(qū)動功率晶體（例如IGBT或是功率級MOSFET）的閘極。柵級驅(qū)動器可能是附在功率晶體上甚至集成進MCU內(nèi)部，也有可能是獨立的元件。柵級驅(qū)動器會包括位準轉換器以及放大器電路。 目的 MOSFET和……

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