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技術(shù)交流

Technology Exchange
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IGBT芯片簡史（一）
  • 更新日期： 2022-03-18
  • 瀏覽次數(shù)： 1771
話說公元2018年，IGBT江湖驚現(xiàn)第六代和第七代的掌門人，一時風頭無兩，各路吃瓜群眾紛紛猜測二位英雄的出身來歷。不禁有好事者梳理了一下英家這些年，獨領風騷的數(shù)代當家掌門人，分別是： 呃，好像分不清這都誰是誰? 呃，雖然這些IGBT“掌門人”表面看起來都一樣，但都是悶騷型的。……
雙向可控硅過零電壓觸發(fā)驅(qū)動電路(MOC3040應用電路)
  • 更新日期： 2022-03-18
  • 瀏覽次數(shù)： 3839
描述 雙向可控硅過零電壓觸發(fā)驅(qū)動電路(MOC3040應用電路) 這種器件是一種單片機輸出與雙向可控硅之間較理想的接口器件。它由輸入和輸出兩部分組成，輸入部分是一砷化鎵發(fā)光二極管。該二極管在5~15mA正向電流作用下發(fā)出足夠強度的紅外線,觸發(fā)輸出部分。輸出部分是一硅光敏雙向可控硅，在紫外線的作用下可……
2021級清華大學電子信息類迎新大會順利舉辦
  • 更新日期： 2022-03-18
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9月3日上午，2021年清華大學電子信息類迎新大會在羅姆樓舉行。電子信息類首席教授、電子系系主任汪玉、生物醫(yī)學工程系系主任王廣志、電子系黨委書記金德鵬、校學術(shù)委員會副主任黃翊東、電子系黨委副書記李冬梅、電子系副系主任吳及、電子系副系主任鄧北星、電子系副系主任沈淵、電子系學生組組長李越、新生年級班主任、輔導員及電子信息類……
氮化鎵（GaN）射頻器件為新一代雷達“猛虎添翼”
  • 更新日期： 2022-03-18
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在軍用市場，GaN 射頻器件需求快速增長，根據(jù)《第3 代半導體發(fā)展概述及我國的機遇、挑戰(zhàn)與對策》數(shù)據(jù)，僅戰(zhàn)斗機雷達對GaN 射頻功率模塊的需求就將達到7500 萬只。目前，美國海軍新一代干擾機吊艙及空中和導彈防御雷達（AMDR）已采用GaN 射頻功放器件替代GaAs 器件。 射頻技術(shù)的進步正在推動無線系統(tǒng)的發(fā)展。……
速度提升12倍！日本SiC技術(shù)又開掛了？
  • 更新日期： 2022-03-18
  • 瀏覽次數(shù)： 2118
據(jù)日本科技媒體報道，AIST開發(fā)了一項高速SiC晶片拋光技術(shù)，可以將速度提升12倍，大幅降低成本，該技術(shù)即將導入6英寸SiC晶圓的集成加工工藝中： ▲速度更快：傳統(tǒng)轉(zhuǎn)速50 rpm，新技術(shù)達到700rpm。 ▲多片拋光：傳統(tǒng)方式只能單片研磨，新技術(shù)可以同時多片加工。 ▲節(jié)省材料：不需要研磨液，只需要水……
集成電路設計中IP技術(shù)及其產(chǎn)業(yè)發(fā)展特點
  • 更新日期： 2022-03-18
  • 瀏覽次數(shù)： 2192
摘 要 ……
PCB可焊性問題的根本原因如何確定？
  • 更新日期： 2022-03-18
  • 瀏覽次數(shù)： 3060
印制電路板生產(chǎn)制造的過程中，焊接質(zhì)量的好壞會直接影響整機產(chǎn)品質(zhì)量的好壞。常見的可焊性問題有：潤濕不良、立碑、裂紋、氣孔、假焊、虛焊、上錫不良和夾渣缺陷等。 究其原因，到底是什么導致產(chǎn)品出現(xiàn)此類焊接失效問題的發(fā)生呢？ 這涉及到以下幾個方面： 01 助焊劑、焊料等原料的質(zhì)量是否滿足要求。原料……
切片分析技術(shù)在電子產(chǎn)品微觀結(jié)構(gòu)中的全應用！
  • 更新日期： 2022-03-18
  • 瀏覽次數(shù)： 3539
電子產(chǎn)品高集成化、微型化發(fā)展，電子封裝高精密度、小型化、PCBA高密度互連帶來的精細導線化和微小孔徑化，使得對檢測方法和技術(shù)提出了更嚴格的要求。切片分析技術(shù)在電子產(chǎn)品微觀檢測方面應用廣泛，起到重要作用！ 通常被用作電子產(chǎn)品的品質(zhì)判定和品質(zhì)異常分析、檢驗電路板品質(zhì)的好壞、PCBA焊接質(zhì)量檢測、尋找失效……
元器件失效分析
  • 更新日期： 2022-03-18
  • 瀏覽次數(shù)： 3022
失效分析基本概念 定義：對失效電子元器件進行診斷過程。 1、進行失效分析往往需要進行電測量并采用先進的物理、冶金及化學的分析手段。 2、失效分析的目的是確定失效模式和失效機理，提出糾正措施，防止這種失效模式和失效機理的重復出現(xiàn)。 3、失效模式是指觀察到的失效現(xiàn)象、失效形式……
10個電源設計中最常用的公式有哪些？本文幫你梳理清楚
  • 更新日期： 2022-03-18
  • 瀏覽次數(shù)： 1818
1 ---MOSFET開關(guān)管工作的最大占空比Dmax： ……
氮化鎵外延用硅襯底問題研究
  • 更新日期： 2022-03-18
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摘?要：隨著硅基氮化鎵外延技術(shù)的不斷突破，其專用的硅襯底材料的國產(chǎn)化問題日益凸顯。分析了國產(chǎn)片外延后邊緣滑移線密集和裂片問題，提出了硅片邊緣控制和機械強度控制參數(shù)和技術(shù)指標，為滿足功率器件級氮化鎵外延需求的高質(zhì)量硅襯底研制指明了一定的方向。 氮化鎵具有高飽和電子速率和擊穿電壓及耐高溫等特性，可用于制作極其惡劣環(huán)境下運……
揭秘！怎樣把沙子變成99.999999999%純度的芯片原材料硅片
  • 更新日期： 2022-03-18
  • 瀏覽次數(shù)： 3092
揭秘！怎樣把沙子變成99.999999999%純度的芯片原材料硅片 高純度的單晶硅片是制造各種芯片的基礎材料，半導體級硅的純度極高，通常要達到99.9....%(小數(shù)點后面7至9個9，甚至是12個9），且為單晶，即硅原子晶格統(tǒng)一朝向。 當然這里所說的純度一般是僅考慮不含金屬雜質(zhì)的純度，不包括……

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