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3D 封裝將成為主要工藝? ！芯片巨頭決戰先進封裝！
  • 更新日期： 2022-03-18
  • 瀏覽次數： 2836
一、3D封裝將成為主要工藝 轉自：智東西 近日，中國臺灣工業技術研究院研究總監 Yang Rui 預測，臺積電將在芯片制造業再占主導地位五年，此后 3D 封裝將成為主要工藝挑戰。 過去十年各種計算工作負載飛速發展，而摩爾定律卻屢屢被傳將走到盡頭。面對更家多樣化的計算應用需求，為了將更多功能 &……
功率mos管為何會被燒毀？都進來看看！
  • 更新日期： 2022-03-18
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mos在控制器電路中的工作狀態：開通過程（由截止到導通的過渡過程）、導通狀態、關斷過程（由導通到截止的過渡過程）、截止狀態。 Mos主要損耗也對應這幾個狀態，開關損耗（開通過程和關斷過程），導通損耗，截止損耗（漏電流引起的，這個忽略不計），還有雪崩能量損耗。只要把這些損耗控制在mos承受規格之內，mos即會正常工作，超出承受范圍，即發生損壞。而開關損耗往往大于導通狀態損耗，不同mos這個差距可能很大。 Mos損壞主要原因： 過流----------持續大電流或瞬間超大電流
深度解析！汽車上的功率半導體（二）
  • 更新日期： 2022-03-18
  • 瀏覽次數： 2616
電力驅動系統主要用在逆變器DC-AC中，將充電電池12V的直流電轉換成為驅動電機220V的交流電驅動電機工作。電機控制系統上需要用到幾十個IGBT，從電池輸出高電壓后，需通過DC-DC變化為低電壓后供汽車低壓網絡使用，例如特斯拉的三相交流異步電機，每相用28個IGBT累計84個，其他電機12個IGBT，特斯拉總共用到9……
是時候了解氧化鎵了
  • 更新日期： 2022-03-18
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在IEEE SPECTRUM中文版《科技縱覽》2002年5月刊中，已故的萊斯特?F.伊斯曼（Lester F. East-man）和烏梅什?K. 米什拉（Umesh K.Mishra）談到了當時功率半導體界的一項大膽技術：氮化鎵（GaN）。對于強大耐用的射頻放大器在當時新興的寬帶無線網絡、雷達以及電網功率切換應用中的使……
干貨！PLC現場安裝、調試全流程實戰經驗
  • 更新日期： 2022-03-18
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PLC控制系統的安裝與調試，涉及到各項工作，并且只能按序進行，一環緊扣一環，稍有不慎都將導致調試失敗，不但延誤工期，甚至會損壞設備。本文介紹了在現場實踐中總結出的PLC控制系統的安裝與調試技術經驗，并對現場經常出現的安裝、調試相關問題，提出探討意見和解決方案。 系統的安裝與調試 合理安排系統安裝與調試程序，是確保高效優質地完成安裝與調試任務的關鍵。 1、前期技術準備 系統安裝調試前的技術準備工作越充分，安裝與調試就會越順利。前期技術準備工作包括下列
深度解析！汽車上的功率半導體（一）
  • 更新日期： 2022-03-18
  • 瀏覽次數： 2983
隨著汽車電動化、智能化、網聯化等發展，汽車電子迎來結構性變革大機會。在傳統燃料汽車中，汽車電子主要分布于動力傳動系統、車身、安全、娛樂等子系統中。按照功能劃分，汽車半導體可大致分為功率半導體（IGBT和MOSFET等）、MCU、傳感器及其他等元器件。 對于新能源汽車……
淺析PWM控制電機轉速的原理
  • 更新日期： 2022-03-18
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經常使用的直流電機原理就是電生磁：通電導線會產生磁場。 也就是電磁感應 旋轉磁場帶動轉子轉動。 電動機是由定子和轉子組成，一個產生旋轉磁場，一個為磁極，電機的轉子(軸承)就轉起來了。 這便實現了電能->磁能->機械能的轉換。 下面這個圖可以更直觀的理解： PWM原理 ……
同步整流和非同步整流有什么區別？
  • 更新日期： 2022-03-18
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開關電源是通過功率管打開時給電感充電，電感儲能；功率管斷開時，電感釋放能量，從而實現電壓變換。 在功率管斷開時，電感釋放能量需要電流回路，續流元器件的選用不同，就會涉及到不同的整流方式，即同步整流和非同步整流。 那么同步整流和非同步整流到底有什么差別呢？ 一、 區分同步與非同步 01……
開關電源的阻尼振蕩
  • 更新日期： 2022-03-18
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前兩期說了RCD電路，不可避免提到開關的尖峰。由此我想到了我們最常用的電路，Buck電路。 Buck振蕩波形 Buck電路電感前面的SW波形，想必大家都測量過，總的來說，無非下面兩種： 不論是連續模式，還是斷續模式，都會有上升尖峰或者是下降尖峰，無非是大小的問題。 ……
MOS管怎么用？從認識米勒效應、開關損耗、參數匹配及選型開始
  • 更新日期： 2022-03-18
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?MOS管即場效應管（MOSFET），屬于壓控型，是一種應用非常廣泛的功率型開關元件，在開關電源、逆變器、直流電機驅動器等設備中很常見，是電力電子的核心元件。 ?MOS管有N溝道和P溝道之分，N溝道相當于NPN的三極管；P溝道相當于PNP的三極管。實際設計及應用中，N溝道MOS管占絕大多數，所以下面以N溝道MOS……
最強總結：27個模擬電路基礎知識！
  • 更新日期： 2022-03-18
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01基爾霍夫定理的內容是什么？ 基爾霍夫電流定律：在電路任一節點，流入、流出該節點電流的代數和為零。 基爾霍夫電壓定律：在電路中的任一閉合電路，電壓的代數和為零。 0 2 戴維南定理 一個含獨立源、線性電阻和受控源的二端電路 ，對其兩個端子來說都可等效為一個理想電壓源串聯內阻的……
超強半導體
  • 更新日期： 2022-03-18
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作者: Gregg H. Jessen 在IEEE SPECTRUM中文版《科技縱覽》2002年5月刊中， 已故的萊斯特?F.伊斯曼（Lester F. East-man）和烏梅什?K. 米什拉（Umesh K.Mishra）談到了當時功率半導體界的一項大膽技術：氮化鎵（GaN）。對于強大耐用的射頻放大器……

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