由于反相器版圖設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單，器件數(shù)量很少，所以本文后面的演示依然使用Layout L工具，關(guān)于Layout XL工具的使用大家可以自行試驗(yàn)。 調(diào)入NMOS和PMOS晶體管之后，選中器件，按下快捷鍵q按照原理圖中的尺寸編輯器件屬性，使MOS管的W、L與原理圖中保持一致。 在編輯器件屬性的時(shí)候可以根據(jù)器件尺寸調(diào)整器……

模擬集成電路設(shè)計(jì)中，除了電路的設(shè)計(jì)以及仿真之外，版圖設(shè)計(jì)也是很重要的內(nèi)容，版圖設(shè)計(jì)的質(zhì)量直接跟芯片的性能相關(guān)，接下來(lái)的幾次內(nèi)容會(huì)跟大家一起學(xué)習(xí)版圖設(shè)計(jì)的內(nèi)容。版圖前的準(zhǔn)備 軟件上設(shè)計(jì)的電路是如何在代工廠加工成有一定功能的芯片呢？電路設(shè)計(jì)和芯片之間是通過(guò)版圖聯(lián)系的，電路設(shè)計(jì)只是一個(gè)形式，而版圖是電路的具體表現(xiàn)……

作為硬件研發(fā)工程師相信對(duì)恒流電路不會(huì)陌生，本文介紹下三種恒流電路的原理圖。 三極管恒流電路 三極管恒流電路 三極管的恒流電路，主要是利用Q2三極管的基級(jí)導(dǎo)通電壓為0.6~0.7V這個(gè)特性；當(dāng)Q2三極管導(dǎo)通，Q1三極管基級(jí)電壓被拉低而截止，負(fù)載R1不工作；負(fù)載R1流過(guò)的電流等于R6電阻的電流（忽……

以不變應(yīng)萬(wàn)變?cè)谶@個(gè)時(shí)代對(duì)于EDA廠商而言是行不通的，靈活性將成為EDA工具一個(gè)重要的性能指標(biāo)，而靈活性是云與生俱來(lái)的本領(lǐng)。Frank Schirrmeiste表示：“業(yè)界正迎來(lái)SaaS作為EDA工具使用模型的時(shí)代，自動(dòng)化將為用戶提供最優(yōu)的異構(gòu)架構(gòu)，以最高效的方式執(zhí)行EDA工作負(fù)載。” 高性能計(jì)算HPC，異……

二極管最重要的特性是單向?qū)щ娦裕眠@一特性可以設(shè)計(jì)很多好玩實(shí)用的電路，本文主要講述限幅電路和鉗位電路。 本文目錄 ▉ 正限幅電路 正……

前世今生 RS-485，RS是什么意思呢？是Recommended Standard的縮寫，就是推薦標(biāo)準(zhǔn)的意思。485是標(biāo)準(zhǔn)標(biāo)識(shí)號(hào)，至于為什么定這個(gè)標(biāo)識(shí)號(hào)，則無(wú)需深究。RS-485又稱為ANSI/TIA/EIA-485，這幾個(gè)前綴是標(biāo)準(zhǔn)協(xié)會(huì)的名稱縮寫，比如EIA就是電子工業(yè)協(xié)會(huì) (Electron……

什么是H橋 因?yàn)殡娐烽L(zhǎng)得像字母H而得名，通常它會(huì)包含四個(gè)獨(dú)立控制的開關(guān)元器件，例如下圖有四個(gè)MOSFET開關(guān)元器件Q1、Q2、Q3、Q4。 它們通常用于驅(qū)動(dòng)電流較大的負(fù)載，比如電機(jī)。 H橋電路中間有一個(gè)直流電機(jī)M。 D1、D2、D3、D4是MOS-FET的續(xù)流二極管； 開關(guān)狀態(tài)……

負(fù)電壓的產(chǎn)生電路圖原理 在電子電路中我們常常需要使用負(fù)電壓，比如說(shuō)我們?cè)谑褂眠\(yùn)放的時(shí)候常常需要建立一個(gè)負(fù)電壓。下面就簡(jiǎn)單的以正5V電壓到負(fù)電壓5V為例說(shuō)一下它的電路。 通常需要使用負(fù)電壓時(shí)一般會(huì)選擇使用專用的負(fù)壓產(chǎn)生芯片，但這些芯片都比較貴，比如ICL7600，LT1054等。差點(diǎn)忘了MC34063了，這個(gè)……

SiC作為第三代半導(dǎo)體材料，性能各方面都要優(yōu)于Si基材料，與傳統(tǒng)基于Si半導(dǎo)體材料的功率器件相比，新興SiC功率器件 具有開關(guān)速度快、阻斷電壓高和耐高溫工作能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，更能滿足未來(lái)電力電子技術(shù)的發(fā)展要求。 上海 瞻芯電子 經(jīng)過(guò)三年的深度研發(fā)和極力攻關(guān)，成為中國(guó)第一家掌握6英寸SiC MOSFET和SBD工藝，以及 SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片 的公司。本文就瞻芯電子SiC功率器件的可靠性及應(yīng)用進(jìn)行說(shuō)明，讓用戶在使用前放心、使用中省心，從而做出更好的產(chǎn)品。 1. 上海瞻芯電子的SiC

如果有人跟你說(shuō)：“嗨，我做的芯片實(shí)現(xiàn)了100%自主可控！”等等，你先不急著崇拜（相信）他，請(qǐng)看完此文再說(shuō)... 首先，什么叫自主可控，最直觀的理解就是當(dāng)別人“卡脖子”的時(shí)候不會(huì)被卡住。 集成電路產(chǎn)業(yè)通常被分為芯片設(shè)計(jì)、芯片制造、封裝測(cè)試三大領(lǐng)域，參看下圖： 我們逐一進(jìn)行分析， 芯片設(shè)計(jì) 主要從ED……

上接最強(qiáng)的芯片產(chǎn)業(yè)鏈科普，芯片自主可控深度解析（一） 刻蝕機(jī) 刻蝕是將晶圓表面不必要的材質(zhì)去除的過(guò)程。刻蝕工藝位于光刻之后。 光刻機(jī)用光將掩膜上的電路結(jié)構(gòu)復(fù)制到硅片上，刻蝕機(jī)把復(fù)制到硅片上的電路結(jié)構(gòu)進(jìn)行微雕，雕刻出溝槽和接觸點(diǎn)，讓……

近日，拜讀遼寧工業(yè)大學(xué)陳永真教授的文章“氮化鎵FET用電解電容器只不過(guò)是噱頭？”感觸良多，應(yīng)運(yùn)而生的氮化鎵（GaN）FET（場(chǎng)效應(yīng)晶體管）用電解電容器除了體積減小，在制造工藝沒(méi)有本質(zhì)性改變時(shí)，其寄生電感無(wú)法大幅降低，且在高開關(guān)頻率下已呈電感特性，高次諧波頗豐。所以，這樣的電解電容器不用也罷。 ……