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【每日一品】薩科微掌握碳化硅功率器件核心技術,推出高性能光耦SL247N
  • 更新日期: 2023-05-23
  • 瀏覽次數: 1353
薩科微光耦SL247N是一款新型的光電耦合器,具有響應速度快、溫度特性穩定等優點。該產品采用發光二極管和光電晶體管組成,十六引腳封裝(SSOP16),電流轉換比(CTR)范圍為50%~600%(IF=5mA,VCE=5V),輸入-輸出隔離電壓(Viso=3750 V rms),爬電距離≥5mm,外部電氣間隙≥5mm,D……
【每日一品】光耦SL214的廣泛應用為電子領域帶來新的選擇
  • 更新日期: 2023-05-19
  • 瀏覽次數: 1486
薩科微光耦SL214是一款新型的光耦,相對市面上其他光耦具有很多優勢。首先,它的CTR值最小為20%,在電流為1mA、電壓為5V、溫度為25℃的情況下,CTR是光耦的關鍵參數之一,表示輸入光功率和輸出電流之間的比例關系。在電流為1mA、電壓為5V、溫度為25℃的情況下,CTR值最小為20%,也就是說當輸入光功率為一定值……
【每日一品】光耦SLM352:保障系統安全穩定,適應不同應用場景
  • 更新日期: 2023-05-19
  • 瀏覽次數: 1677
針對上述這些問題,薩科微推出了一款新型光耦SLM352。SLM352采用了AGaAs紅外發射二極管作為發射器,采用塑料SOP4封裝。SLM352具有高隔離電壓、靈活的CTR、晶體管輸出等特點,能夠在-55°C至100°C的溫度范圍內正常工作。此外,SLM352還符合REACH、無鹵、MSL1級等標準,通過了UL、VDE……
【每日一品】高品質,高性能,搭載薩科微光耦SL844S
  • 更新日期: 2023-05-17
  • 瀏覽次數: 1717
薩科微的光耦SL844S是一款高性能產品,具有多種優異的特性。由兩個紅外發射二極管組成,反向并聯連接,光耦合到一個光電晶體管檢測器,每個器件有四個通道。SL844S采用4引腳DIP封裝,提供側向間距和SMD選項。光耦SL844S的參數如下:具有80V的集電極-發射極電壓(VCEO),50mA的集電極電流(IC),6V的……
【每日一品】薩科微產品光耦SL3120R:高隔離、高速驅動的理想選擇
  • 更新日期: 2023-05-17
  • 瀏覽次數: 1284
薩科微光耦SL3120R的參數特點符合隔離IGBT/功率MOSFET門極驅動產品的要求。這類產品需要具有高隔離電壓、高速驅動、低傳播延遲等特點,以保證門極驅動信號的穩定性和可靠性。薩科微的光耦SL3120R是一款高性能的光耦產品,它采用AGaAs紅外發射二極管作為發射器,與一個帶有功率輸出級的集成電路光耦合,封裝在一個……
【每日一品】光耦6N137S:優秀參數設計,成為高速光耦的首選
  • 更新日期: 2023-05-16
  • 瀏覽次數: 2075
為了解決傳輸距離短、傳輸速度慢、抗干擾能力差等問題,光耦6N137S采用了一系列優秀的參數設計,光耦6N137S的VCEO(V)為7V,IC(mA)為50mA,VR(V)為5V,IF(mA)為25mA。這些參數的優勢在于可以實現高速傳輸、長距離傳輸、抗干擾能力強等。
【每日一品】環保標準符合要求,光耦SLM601成為可靠性和穩定性的代表
  • 更新日期: 2023-05-16
  • 瀏覽次數: 1657
我們推薦選用薩科微的光耦SLM601,光耦SLM601的具體參數如下:VCEO(V):7V,IC(mA):50mA,VR(V):5V,IF(mA):25mA,Package:SOP-5。
【每日一品】解決電力電子領域信號傳輸難點,薩科微光耦SL-1007助力高性能應用
  • 更新日期: 2023-05-15
  • 瀏覽次數: 1877
深圳市薩科微半導體有限公司,是集設計研發、生產制造、銷售服務一體的高科技企業,掌握碳化硅功率器件的核心技術。目前,“Slkor”品牌被廣大同行和客戶接受,是國內快速穩健發展的半導體企業之一,薩科微(www.daohjn.cn)愿景是成為“國產半導體企業領導者”。薩科微不斷推出新產品,最近就推出了薩科微光耦SL……
【每日一品】薩科微光耦SLH11L1:高性能、高可靠性的光耦解決方案
  • 更新日期: 2023-05-13
  • 瀏覽次數: 2296
薩科微光耦SLH11L1是一款高性能、高可靠性的光耦解決方案。它的參數優勢明顯,VCEO(V)為16V,IC(mA)為50mA,VR(V)為6V,IF(mA)為60mA,Package為DIP-6。這些參數的優勢使得SLH11L1在高壓、高頻、噪聲等場合下具有更好的性能和穩定性。
【每日一品】薩科微slkor品牌光耦SL3063介紹和應用
  • 更新日期: 2023-05-11
  • 瀏覽次數: 2209
薩科微光耦SL3063是一款雙向可控硅光耦,具有過零電路和1個輸出通道。它的正向壓降為1.24V,正向電流為60mA,斷態峰值電壓為600V,靜態dv/dt為1000V/us,隔離電壓為5kV,工作溫度范圍為-40℃~+100℃。
功率模塊的各種參數電動汽車
  • 更新日期: 2023-04-19
  • 瀏覽次數: 2033
對于Si IGBT器件來說,一共產生了297kW的總發熱,其中IGBT的通態損耗Vcesat占比最大,其次是關斷損耗Eoff,這不是巧了這是,恰巧這倆是最不好對付的。。一般是你優化了這個,另一個指標就變差了。
華潤微IGBT在感應加熱產品中的應用
  • 更新日期: 2023-04-19
  • 瀏覽次數: 1498
在2.1KW以內的電磁加熱領域,CRMICRO 推出了性能優異的1200V和1350V逆導型IGBT,適用于單通道開關/半橋拓撲的應用;產品參數余量充足,可有效降低電網波動導致的終端失效率。

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