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更新日期： 2022-06-24
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電感有交變電流，電感底部鋪銅會在地平面上產生渦流，渦流效應會影響功率電感的電感量，渦流也會增加系統的損耗，同時交變電流產生的噪聲會增加地平面的噪聲，會影響其他信號的穩定性。在EMC方面來看，在電感底部鋪銅，完整的地平面鋪銅有利于EMI的設計；現在的電感的生……

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MOS管發燙的原因

更新日期： 2022-06-24
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MOS管發燙的原因，最近我有用到一個MOS管，MOS管的型號是2N7002，市面上很常見的MOS管，這個MOS管是一個電路的組合，是個自己設計的電路，用來驅動背光電路的，具體的電路圖我就不截出來了，我只能說造成我MOS管發燙的原因的話是我柵極驅動波形上升沿速度緩慢，因為我的電路需要頻繁的導通和關斷，上升沿波形緩慢的結果就是讓我的MOS管在電路導通的過程中處于線性導通狀態，也就是沒有完全導通，所以會發燙，如果做過開關電源的話就知道，MOS管上升沿緩慢代表什么，原因知道的話那就好辦了，驅動波形上升沿緩慢，也就

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半導體封裝技術詳解！（收藏）

更新日期： 2022-06-21
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干貨 | 技術參數詳解，MOS管知識最全收錄

更新日期： 2022-06-17
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和普通雙極型晶體管相比，MOS管具有輸入阻抗高、噪聲低、動態范圍大、功耗小、易于集成等優勢，在開關電源、鎮流器、高頻感應加熱、高頻逆變焊機、通信電源等高頻電源領域得到了越來越普遍的應用。 ……

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大廠DC-DC PCB layout建議

更新日期： 2022-06-16
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在DC-DC芯片的應用設計中，PCB布板是否合理對于芯片能否表現出其最優性能有著至關重要的影響。不合理的PCB布板會造成芯片性能變差如線性度下降（包括輸入線性度以及輸出線性度）、帶載能力下降、工作不穩定、EMI輻射增加、輸出噪聲增加等，更嚴重的可能會直接造成芯片損壞。 ……

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功率MOSFET技術資料與講解

更新日期： 2022-06-14
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什么是功率 MOSFET？我們都懂得如何利用二極管來實現開關，但是，我們只能對其進行開關操作，而不能逐漸控制信號流。此外，二極管作為開關取決于信號流的方向；我們不能對其編程以通過或屏蔽一個信號。對于諸如“流控制”或可編程開關之類的應用，我們需要一種三端器件和雙極型三極管。我們都聽說過 Bardeen &Brat……

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降低氮化鎵襯底成本，他們找到了新方法

更新日期： 2022-06-09
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2022年5月，名古屋大學未來材料與系統研究所的Hiroshi Amano教授和副教授Atsuyuki Tanaka組成的研究小組決定在“短時間內”以“小損耗”切割出GaN（氮化鎵）襯底宣布開發出可與Hamamatsu Photonics合作使用的激光切片技術。作為能夠降低 GaN 器件成本的技術而備受矚目。 ……

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功率半導體冷知識之二：IGBT短路時的損耗

更新日期： 2022-06-09
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短路不可怕 IGBT主要用于電機驅動和各類變流器，IGBT的抗短路能力是系統可靠運行和安全的保障之一，短路保護可以通過串在回路中的分流電阻或退飽和檢測等多……

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PCB板元器件布局布線基本規則

更新日期： 2022-06-09
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一、元件布局基本規則　　1．按電路模塊進行布局，實現同一功能的相關電路稱為一個模塊，電路模塊中的元件應采用就近集中原則，同時數字電路和模擬電路分開；　　2．定位孔、標準孔等非安裝孔周圍1.27mm內不得貼裝元、器件，螺釘等安裝孔周圍3.5mm（對于M2.5）、4mm（對于M3）內不得貼裝元器件；　　3．臥裝電阻、功率電……

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