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更新日期： 2022-04-01
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開關(guān)電源內(nèi)部主要損耗要提高開關(guān)電源的效率，就必須分辨和粗略估算各種損耗。開關(guān)電源內(nèi)部的損耗大致可分為四個(gè)方面：開關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗、附加損耗和電阻損耗。這些損耗通常會(huì)在有損元器件中同時(shí)出現(xiàn)，下面將分別討論。與功率開關(guān)有關(guān)的損耗 ……

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新能源汽車電機(jī)控制器 IGBT 模塊的驅(qū)動(dòng)技術(shù)

更新日期： 2022-04-01
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本文介紹了大型電動(dòng)汽車中，電機(jī)控制器IGBT模塊驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)思路，闡述了IGBT模塊的特性、柵極驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)與保護(hù)，以及IGBT模塊在正常工作中的電流、電壓、溫度保護(hù)，并提供了相應(yīng)的設(shè)計(jì)原理和驗(yàn)證方案。 1. 引言 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵……

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Boost升壓電路原理及設(shè)計(jì)詳解

更新日期： 2022-03-30
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Boost電路是一種開關(guān)直流升壓電路，它能夠使輸出電壓高于輸入電壓。在電子電路設(shè)計(jì)當(dāng)中算是一種較為常見的電路設(shè)計(jì)方式。本文將給大家介紹boost基本原理、電路參數(shù)設(shè)計(jì)。首先我們需要知道：電容阻礙電壓變化，通高頻，阻低頻，通交流，阻直流；電感阻礙電流變化，通低頻，阻高頻，通直流，阻交流；

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IGBT的耗散功率有多大？

更新日期： 2022-03-30
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前言 ……

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大陸電驅(qū)系統(tǒng)EMR4分析

更新日期： 2022-03-18
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1. 前言隨著電動(dòng)汽車在市場上的顯著加速，品牌、細(xì)分市場和車型的差異也在不斷增加，最大限度地?cái)U(kuò)大電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)適用性就顯得及其重要。電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，如大批量生產(chǎn)的EMR3(第三代電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng))和目前正在開發(fā)的EMR4，在系統(tǒng)級(jí)采用了多標(biāo)準(zhǔn)優(yōu)化方法進(jìn)行設(shè)計(jì)。與上一代相比，EMR4提高了高達(dá)5%的效率，顯著提升了功率可擴(kuò)展性，并……

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芯片設(shè)計(jì)面臨很多挑戰(zhàn)，但是如何解決IP復(fù)用和集成問題？

更新日期： 2022-03-18
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汽車、人工智能（AI）、數(shù)據(jù)處理和智能終端等領(lǐng)域?qū)Π雽?dǎo)體芯片的強(qiáng)勁需求不斷加速半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，預(yù)計(jì)到2030年將激增至8085億美元。，普華永道預(yù)測，2022年僅AI相關(guān)的半導(dǎo)體市場收入就將增長到300億美元以上，年增長率高達(dá)50%。與此同時(shí)，半導(dǎo)體芯片變得更小、更快、更強(qiáng)大，并且在靈活性和功能性方……

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運(yùn)算放大器與比較器相比有何不同之處

更新日期： 2022-03-18
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運(yùn)算放大器和比較器在外觀和原理圖符號(hào)上很相似，如果對(duì)標(biāo)志進(jìn)行打磨，很難區(qū)分兩者。此外，許多初學(xué)者經(jīng)常將運(yùn)算放大器與比較器混淆，因?yàn)樵谀承?yīng)用中，運(yùn)算放大器在許多電路中用作比較器。本文分享了這些差異。圖1 運(yùn)放管腳示意圖運(yùn)放和比較器的功能表述如下運(yùn)算放大器，是一種用于信號(hào)調(diào)理的模擬……

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MOS管發(fā)熱通常是哪些原因?qū)е碌? /></div>
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更新日期： 2022-03-18
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MOS管發(fā)熱是電路中常見的問題，經(jīng)常困擾著我們，接下來小編總結(jié)出了幾個(gè)MOS管發(fā)熱的問題及原因： MOS發(fā)熱有哪些原因,110不怎么熱，220V輸入時(shí)熱的很問題不夠詳細(xì)，不過mos管發(fā)熱一般有這么幾種：1.負(fù)載過重，導(dǎo)致mos管過流發(fā)熱。2.推動(dòng)激勵(lì)信號(hào)不足，導(dǎo)致mos管發(fā)熱。3.激勵(lì)信號(hào)過強(qiáng)，也會(huì)導(dǎo)致mos管發(fā)熱。一般mos管工作溫度都在120攝氏度以下，都可以工作的。一般都不會(huì)超過70度吧不是的，大部分的mos管最高工作溫度都在120度以下，不過不是絕對(duì)的，也有工作溫度低

SiC和硅基IGBT的效率相差了多少？

更新日期： 2022-03-18
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最近功率電子比較熱門，我這邊把幾份材料的一些觀點(diǎn)梳理一下。 2022年是中國碳化硅使用的很重要的一個(gè)年份，主要是目前800V系統(tǒng)帶來了很多變化，具體從各個(gè)層面到底有哪些差異，我想根據(jù)梳理材料來和大家探討。我們首先來說IGBT，其實(shí)在電動(dòng)汽車領(lǐng)域特別要感謝英飛凌，在歐洲汽車企業(yè)沒進(jìn)來之前，日……

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開關(guān)電源二十種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)介紹

更新日期： 2022-03-18
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什么是拓?fù)洌克^電路拓?fù)洌褪请娐分泄β势骷碗姶旁倪B接方法，而磁性元件的設(shè)計(jì)、閉環(huán)補(bǔ)償電路的設(shè)計(jì)以及其他所有電路元件的設(shè)計(jì)都依賴于拓?fù)洹Ｗ罨镜耐負(fù)溆薪祲海╞uck）、升壓（boost）和降壓/升壓（boost/buck）、非對(duì)稱反激（isolated flyback）、正向、推挽、半橋和全橋變換器。開關(guān)電源拓?fù)洹?/div>

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關(guān)于芯片的內(nèi)部設(shè)計(jì)原理和結(jié)構(gòu)分析詳解

更新日期： 2022-03-18
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摘要作為電源研發(fā)工程師，當(dāng)然經(jīng)常接觸各種芯片。有些工程師可能對(duì)芯片的內(nèi)部不太熟悉。許多學(xué)生在應(yīng)用新芯片時(shí)直接進(jìn)入數(shù)據(jù)集的應(yīng)用頁面，并根據(jù)推薦的設(shè)計(jì)構(gòu)建外設(shè)。就是這樣。這樣，即使應(yīng)用沒問題，也忽略了技術(shù)細(xì)節(jié)，也沒有為自己的技術(shù)成長積累更好的體驗(yàn)。今天以DC/DC降壓電源芯片LM2675為例，詳細(xì)說明以下芯片的內(nèi)……

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DC-DC的PCB設(shè)計(jì)需要注意哪些點(diǎn)？

更新日期： 2022-03-18
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DC-DC的電路比LDO會(huì)復(fù)雜很多，噪聲也更大，布局和layout要求更高，layout的好壞直接影響DC-DC的性能，所以了解DC-DC的layout至關(guān)重要。 1. Bad layout EMI，DC-DC的SW管腳上面會(huì)有較高的dv/dt，比較高的dv/dt會(huì)引起比較大的EMI干擾；地線噪聲，地走線不好，會(huì)在地線上面會(huì)產(chǎn)生比較大的開關(guān)噪聲，而這些噪聲會(huì)影響到其它部分的電路；布線上產(chǎn)生電壓降，走線太長，會(huì)使走

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