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以下觀點僅代表嘉賓本人立場，文章都已獲得本人授權發布，與本網站無關。?
電子封裝中的可靠性問題（封裝缺陷、失效等），此篇文章做了清晰的敘述！
  • 更新日期： 2022-03-18
  • 瀏覽次數： 7119
電子器件是一個非常復雜的系統，封裝過程中的缺陷和故障也非常復雜。 因此，對包裝缺陷和故障的研究需要對包裝過程有系統的了解，這樣才能從多個角度分析產生缺陷的原因。 封裝失效的機理可分為過載和磨損兩大類。 過載導致的故障通常是瞬間的和災難性的； 磨損失效是累積性的長期損壞，通常首先表現為性能下降，然后……
支持制造業實現智能化轉型 | 基于GD32F303的通用變頻器方案設計
  • 更新日期： 2022-03-18
  • 瀏覽次數： 3042
前 言 我國在2020年9月明確了2030年碳達峰和 2060年碳中和的目標，未來四十年內實現凈零排放對中國而言將是一項具有挑戰性的任務。對于電機行業來說，電機在工業領域占有重要位置，據統計，我國電機每年耗電量占全社會總用電量的69%，約占工業用電的75%。因此減少電機生命周期內的碳排放，加速推進減碳進程，是電機……
助力共享換電，基于GD32E230的智能鋰電池BMS解決方案
  • 更新日期： 2022-03-18
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據數據統計，中國市場擁有3億輛兩輪三輪電動車，2019年我國電動兩輪車產量為3609萬輛，銷量為3464萬輛，其中700萬外賣人員和310萬快遞人員是電動車的重度使用者。隨著2019年4月15日新國標正式實施，我國鋰電兩輪車銷量達到680萬輛，鋰電池在我國兩輪電動車滲透率達到18.8%，預計2023年鋰電兩輪車滲透率將……
SiC MOSFET有趣的IP故事集 — 英飛凌半包，羅姆雙溝槽，住友接地雙掩埋，及 躺贏的GE
  • 更新日期： 2022-03-18
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一個碳化硅芯片業余愛好者的學習筆記。文獻整理，業界新聞，偶有所得，天馬行空。本公眾號屬于個人學習筆記，僅為個人業余興趣愛好，不涉及任何商業目的。文中如果有引用不規范的地方敬請見諒。有人的愛好是養花養草唱歌釣魚，也有人喜歡寫Twiter博客抖音，我最近幾年，喜歡周末偶爾讀點書刷刷paper，看看前沿方向材料和器件技術發展……
7種MOSFET柵極電路的常見作用，不看不知道！
  • 更新日期： 2022-03-18
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概述 MOSFET是一種常見的電壓型控制器件，具有開關速度快、高頻性能、輸入阻抗高、噪聲小、驅動功率小、動態范圍大、安全工作區域(SOA)寬等一系列的優點，因此被廣泛的應用于開關電源、電機控制、電動工具等各行各業。柵極做為MOSFET本身較薄弱的環節，如果電路設計不當，容易造成器件甚至系統的失效，因此發這篇文章將……
CIS封裝技術
  • 更新日期： 2022-03-18
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CIS封裝最初采用的是帶有玻璃蓋板的陶瓷封裝，例如Amkor的VisionPak就是一種陶瓷無鉛芯片載體。這種方案比較昂貴而且會占用很大的相機內空間。20世紀末晶圓級封裝(Wafer Level Package, WLP)技術逐步發展起來，其優勢在于尺寸小、重量輕和成本低，并逐漸引起大家的關注。2007年3月，日本Toshiba公司首次展出采用硅通孔技術的WLP的小型圖形傳感器模組，該技術不僅提供用于模塊集成的完全密閉的器件，使由污染顆粒所導致的CIS成品率損失大大降低，還具有最小尺寸和質量、有效降低寄生
TI 第二代雷達芯片深度剖析
  • 更新日期： 2022-03-18
  • 瀏覽次數： 2409
車載雷達是高級輔助駕駛(ADAS), 無人駕駛核心傳感器之一，而車載雷達芯片是車載雷達的核心，如今高度集成（MMIC + DSP/MCU)的車規級芯片為雷達小型化，高可靠性與穩定性，低成本提供關鍵途徑，其重要性不言而喻。 近期，TI公司正式上線下一代車規級高性能車載雷達芯片，AWR2944，同時發布與之配……
功率電子封裝關鍵材料和結構設計的研究進展
  • 更新日期： 2022-03-18
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摘要：傳統功率電子封裝主要以釬料連接和引線鍵合等二維平面封裝技術為主，無法滿足第三代半導體器件在高頻、高壓、高溫下的可靠應用。為了解決這一問題，二維平面封裝逐漸向三維集成封裝發展。對功率電子封裝技術中的關鍵材料和結構設計的研究進展進行了總結和展望。連接材料從錫基釬料逐漸發展為金基釬料、瞬態液相連接材料、燒結銀等高導熱、……
碳化硅與硅相比有何優勢？
  • 更新日期： 2022-03-18
  • 瀏覽次數： 2836
描述 電力電子朝向碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬能隙（WBG）材料發展，雖然硅仍然占據市場主流，但SiC與GaN器件很快就會催生新一代更高效的技術解決方案。 據總部位于法國的市場研究機構Yole Développement估計，到2025年SiC器件市場營收將占……
淺談電動汽車IGBT技術應用與發展
  • 更新日期： 2022-03-18
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20世紀中期出現了功率器件，經過近30年的發展，MOS和BJT技術的結合催生出IGBT技術。IGBT經過不斷更新，現已廣泛應用于車輛、焊接、航天航空等領域。本文介紹了IGBT的結構和工作原理，并對其在電動汽車領域的應用進行闡述，有助于從業者全面深入了解IGBT原理及其在電動汽車領域的技術發展。 隨著全球變暖和環境……
干貨|臭名昭著的MOS管米勒效應
  • 更新日期： 2022-03-18
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如下是一個NMOS的開關電路，階躍信號VG1設置DC電平2V，方波（振幅2V，頻率50Hz），T2的開啟電壓2V，所以MOS管T2會以周期T=20ms進行開啟和截止狀態的切換。 首先仿真Vgs和Vds的波形，會看到Vgs=2V的時候有一個 小平臺 ，有人會好奇為什么Vgs在上升時會有一個小平臺？ ……
《華林科納-半導體工藝》碳化硅MOSFET制造后爐前清洗的濕處理
  • 更新日期： 2022-03-18
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引言 碳化硅(SiC)器件制造技術與硅制造有許多相似之處，但識別材料差異是否會影響清洗能力對于這個不斷發展的領域很有意義。材料參數差異包括擴散系數、表面能和化學鍵強度，所有這些都可以在清潔關鍵表面方面發揮作用。這項工作將100毫米或150毫米4H碳化硅晶片經過汞探針電容電壓(MCV)繪圖后的痕量表面污染水平與……

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