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產品展示

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三極管BFU580Q 三極管BFU580Q 三極管BFU580Q
三極管BFU580Q

晶體管類型:NPN

集射極擊穿電壓(Vceo): 12V

集電極電流(Ic): 100mA

功率(PD): 1000mW

集電極截止電流(Icbo): 0.05μA

集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib): -

直流電流增益(hFE@Ic,Vce):60@30mA, 8V

特征頻率(fT): 10GHz

工作溫度:-40℃~150℃@(Tj)
Package:SOT-89


產品詳情

產品概述:

NPN微波低噪聲晶體管BFU580Q是一種常用的高頻放大器和信號處理器件。它在微波頻段(通常在幾百MHz至幾十GHz之間)表現出優異的性能,主要用于無線通信、雷達系統、衛星通信、射頻識別(RFID)、廣播、醫療設備等領域。


主要特性:

晶體管類型:NPN

集射極擊穿電壓(Vceo): 12V

集電極電流(Ic): 100mA

功率(PD): 1000mW

集電極截止電流(Icbo): 0.05μA

集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib): -

直流電流增益(hFE@Ic,Vce):60@30mA, 8V

特征頻率(fT): 10GHz

工作溫度:-40℃~150℃@(Tj)
Package:SOT-89


應用領域:

主要應用于超高頻微波、高頻寬帶低噪聲放大器中,如CATV視頻放大器、無線收發模塊、各類遠距離遙控器、安防報警器、模擬數字無繩電話等產品中,適合中功率高頻信號放大。


產品優勢:

本芯片采用硅外延工藝制造,具有高功率增益放大、寬帶以及低噪聲、低漏電流、小結電容特性,較大的動態范圍,理想的電流線性。

注意事項:

在處理和安裝NPN微波低噪聲晶體管時,務必采取防靜電措施,避免靜電對晶體管產生損害。

針對高頻應用,需要注意防止晶體管出現意外振蕩的情況,采取適當的濾波和穩定措施。

避免將NPN微波低噪聲晶體管暴露在超過其額定參數的過載情況下,以防止損壞晶體管。



關于薩科微 Slkor

薩科微 Slkor是一家致力于提供高品質、高性能半導體器件的制造商,擁有先進的技術和嚴格的質量控制體系,為客戶的設計提供[敏感詞]的解決方案和支持。


BFU580Q SOT-89_00.png

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